ADI, 오리건주 반도체 팹 증설에 10억 달러 투자

美 '반도체지원법' 보조금 지원...반도체 생산량 2배 증가 예정

반도체 기업 아나로그디바이스(ADI)가 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장에 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다. 

1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설이다. 주로 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야에 반도체를 제조해 공급하고 있다. 

ADI는 미국 오리건주 비버튼에 위치한 반도체 웨이퍼 팹 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다.빈센트 로취(Vincent Roche) ADI CEO 겸 회장(왼쪽)과 비벡 자인(Vivek Jain) ADI 글로벌 운영 및 기술 총괄 부사장의 테이프 커팅 장면(사진=ADI)

이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 11만8000제곱피트(약 11,000 제곱미터)로 늘어나고, 180나노미터(nm) 이상의 첨단 미세공정 노드 생산량이 거의 2배로 증대된다. 신규 고용으로 인해 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 크게 증가할 것으로 예상된다.

ADI는 이번 투자의 10% 이상은 효율을 높이고 보다 환경 친화적인 화학 물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다고 밝혔다. 신규 시설은 생산량을 거의 두 배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 하고 있다.

빈센트 로취 ADI CEO 겸 회장은 "ADI는 비버튼 팹 시설을 확장함으로써 핵심 산업 분야에서 생산 능력을 높이고, 반도체 지원법(CHIPS Act)의 취지에 맞춰 미국내 제조를 활성화할 계획"이라며 "자체 팹과 외부 파운드리를 함께 이용하는 ADI의 하이브리드 제조 모델을 강화할 것"이라고 전했다. 

한편, ADI 비버튼 시설에는 반도체 장비 유지관리와 관련해 8주 과정의 인재 개발 교육 센터인 반도체 선행 제조 대학(Semiconductor Advanced Manufacturing University, SAMU)이 유치될 예정이다. 이 교육 센터는 미군 퇴역 군인, 재취업 희망자, 기존 ADI 공장 작업자 등에게 반도체 제조 기초 교육 및 전문성 심화 교육 등을 제공한다.