키오시아-웨스턴디지털, 218단 낸드 플래시 공개

미세화 공정·웨이퍼 본딩 적용해 밀도·입출력 속도 향상

키오시아와 웨스턴디지털이 8세대 218단 3D 낸드 플래시 메모리 기술 관련 세부 정보를 공개했다.

218단 3D 플래시 메모리는 미세화 공정과 웨이퍼 본딩 기술을 모두 적용해 더 작은 크기 메모리와 저단수 제품으로 더 높은 용량을 구현할 수 있다.

키오시아와 웨스턴디지털이 8세대 218단 3D 낸드 플래시 메모리 기술을 공개했다. (사진=키오시아)

1Tb 용량 TLC(3비트)·QLC(4비트) 플래시 메모리를 모두 활용할 수 있으며 초당 최대 입출력 속도는 3.2Gb/s로 전세대 대비 60% 향상됐다.

알페르 일크바하르 웨스턴디지털 기술·전략 부문 선임 부사장은 "양사는 하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 이번 기술을 예정보다 일찍 제품화하고 높은 성능을 지원하는 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

모모도미 마사키 키오시아 CTO(최고기술책임자)는 "양사 파트너십을 통해 업계 최고 수준 비트 밀도를 구현한 8세대 3D 낸드 플래시 메모리를 개발했으며 스마트폰, IoT 기기와 데이터센터 등 다양한 데이터 중심 수요처에서 활용할 수 있는 플래시 메모리 기술 포트폴리오가 진화했다"고 밝혔다.

키오시아는 일부 고객사 대상으로 이미 시제품을 공급하고 있다고 밝혔다. 이를 적용한 SSD·메모리카드 등 출시 일정은 미정.