[컨콜] 삼성전자 "내년 파운드리 3나노 2세대 양산"

"미국 테일러 공장도 내년 하반기 4나노 양산"

삼성전자가 반도체 위탁생산(Foundry) 사업부에서 3㎚(나노미터=10억분의 1ｍ) 2세대 게이트올어라운드(GAA) 공정을 예정대로 내년에 양산하겠다고 밝혔다.

정기봉 삼성전자 부사장은 31일 열린 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “모바일·고성능컴퓨팅(HPC) 고객사들이 관심을 나타냈다”며 이같이 말했다.

이재용 삼성전자 회장(오른쪽)이 지난해 8월 삼성전자 기흥캠퍼스 반도체 연구개발(R&D)단지 기공식에서 직원들과 기념 사진을 찍고 있다.(사진=삼성전자)

정 부사장은 “새로운 고객으로부터 3나노 2세대 공정 제품을 수주할 것”이라며 “1세대 양산 경험을 바탕으로 2세대 공정을 빠르게 개발하고 있다”고 강조했다. 그는 또 “2세대 공정은 1세대보다 면적과 성능, 전력 효율이 개선됐다”며 “차세대 트랜지스터 기술인 멀티브릿지채널(MBC) 펫(FET) 기술로 4나노 기술인 핀펫(Fin-FET)보다 전력 소모량이 적고 유연하게 설계할 수 있다”고 설명했다.

이어 “3나노 1세대 공정도 안정적인 수율로 양산하고 있다”고 덧붙였다.

삼성전자 테일러시 파운드리 공장 부지(사진=삼성전자)

미국 텍사스주 테일러시에 짓고 있는 공장과 관련해서는 “계획대로 내년 하반기 4나노 공정 제품을 양산할 것”이라고 전했다.