NXP·히타치, SiC 기반 전기차 부품 개발 맞손

NXP 반도체와 히타치 ABB 파워 그리드가 실리콘 카바이드 기반 전기차 트랙션 인버터 출시를 위해 협력한다.

22일 NXP 반도체(이하 NXP)는 히타치 ABB 파워그리드와 공동으로, 실리콘 카바이드 기반 전기차 트랙션 인버터 출시를 위한 프로젝트를 추진, 설계 간소화를 위한 평가보드도 제공할 계획이라고 밝혔다.

NXP CI. (사진=NXP)

NXP 측은 "NXP의 고전압 절연 게이트 드라이브(GD3100)와 히타치 ABB 파워 그리드의 차량용 SiC MOSFET(실리콘 카바이드 전계효과 트랜지스터) 모듈을 통해 기존보다 효율성과 신뢰성, 안정성을 높인 트랙션 인버터를 출시할 계획"이라며 "SiC MOSFET 기반 전력 장치는 스위칭 속도가 빠르고, 턴온 저항이 낮은 동시에 열 방출도 감소시켜 기존 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 대비 최대 8%의 성능 개선이 가능하다. 이는 개발 프로세를 간소화하는 평가보드 및 레퍼런스 솔루션과 같은 도구로 더욱 빨리 실현될 수 있다"고 전했다.

히타치 ABB 파워 그리드는 그간 전기버스는 물론 전기승용차, 고성능 포뮬러-E 레이싱카까지 적용 가능한 고밀도 전기차용 SiC 전력 모듈(1200V SiC MOSFET 통합) 개발에 집중해왔다.

토비아스 켈러 히타치 ABB 파워 그리드 부사장은 "히타치 ABB 파워 그리드는 로드팩 SiC 모듈, 특히 고객이 평가 중에 그리고 최종적으로는 트랙션 인버터 생산과정에서 SiC MOSFET과 자사 전력 모듈의 성능 이점을 쉽게 확인할 수 있도록 게이트 드라이버와 결합할 수 있는 고성능 차량용 고전압 게이트 드라이버 솔루션을 찾고 있었다"며 "NXP의 GD3100 절연 게이트 드라이버는 SiC MOSFET를 빠르고 안정적으로 보호할 수 있으며 고속, 저손실 스위칭이 가능하다"고 강조했다.