SK하이닉스가 인공지능 시스템 및 슈퍼컴퓨터에 사용할 수 있는 초고속 D램 'HBM2E' 양산에 돌입했다.
SK하이닉스는 지난해 8월 개발에 착수한 초고속 D램 HBM2E 양산기술을 확보하고, 본격적인 생산을 시작한다고 2일 밝혔다.
HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended·고대역폭 메모리)는 반도체 칩셋 상단과 하단에 마이크로미터(㎛=100만분의 1미터) 직경의 전자이동 통로를 만들고, D램 칩을 적층해 데이터처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 D램을 말한다.
성능은 1천24개의 정보 출입구(I/O)를 통해 초당 3.6기가비트(Gb)의 데이터를 처리할 수 있는 속도를 제공, 풀HD 해상도 영화 124편을 1초면 전송할 수 있다.
SK하이닉스는 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩셋을 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 이전 제품 대비 2배 이상 늘어난 16기가바이트(GB) 용량으로 HBM2E를 구현했다.
SK하이닉스 측은 "초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 요구하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능 시스템에 최적화된 메모리 솔루션"이라며 "기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터에도 채용이 전망된다"고 강조했다.
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☞용어설명 : 실리콘관통전극(Through Silicon Via·TSV)
실리콘관통전극은 D램 칩셋을 종이보다 얇은 두께로 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 관통하는 전극을 서로 연결하는 기술이다. 이는 버퍼(임시 저장공간) 칩셋 위에 다수의 D램 칩셋을 적층한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥 형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달하는 방식으로 동작한다. 기존 패키지 대비 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄일 수 있는 강점을 제공한다.
