온세미컨덕터, 900V·1200V SiC MOSFET 출시

태양광 발전, 전기차, 서버 등 전원 공급 용도 적합

온세미컨덕터가 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군 2종을 신규 출시했다.

온세미컨덕터 로고.

해당 제품은 태양광 발전 인버터, 전기 자동차(EV)를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등을 위해 설계됐다. 기존 실리콘 기반 MOSFET 대비 스위칭 성능을 높이고 신뢰성을 개선했다.

칩 크기가 작을수록 소자 커패시턴스가 낮아지고 게이트 전하-Qg (220nC 정도로 낮음)가 작아져 고주파수 동작이 더욱 향상되어 고주파수에서 동작 할 때 스위칭 손실이 줄어든다. 이러한 개선으로 효율성이 향상되며, Si기반 MOSFET과 비교했을 때 EMI를 감소시키며, 더 적고 작은 패시브 구성품을 사용할 수 있게 한다.

1200V 디바이스의 정격 최대 전류는 130A(ID 최대)이며, 900V 디바이스는 최대 118A이다. 더 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션의 경우, 양의 온도 계수 및 독립성으로 인해 온세미컨덕터 MOSFET은 쉽게 병렬로 동작 시킬 수 있다.

모든 온세미컨덕터의 SiC MOSFET은 납이나 할로겐이 들어가 있지 않으며, 자동차 애플리케이션용 디바이스는 AEC-Q100 인증과 PPAP를 지원한다. 모든 디바이스는 업계 표준인 TO-247 또는 D2PAK 패키지로 제공된다.