삼성電, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

내년 완공 목표…3년간 70억弗 투입

삼성전자가 3차원(3D) 수직구조(V) 낸드플래시 수요 증가에 대응키 위해 내년 완공을 목표로 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다. 지난 2012년 1기 라인 착공에 이어 5년 6개월 만이다.

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시(西安市)에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 진행했다고 밝혔다.

이날 기공식엔 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석했다.

지난해 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 체결, 향후 3년간 총 70억 달러(약 7조8천억원)을 투자하기로 했다.

이로써 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응하겠다는 계획이다.

삼성전자 시안 반도체 공장에서 생산된 낸드플래시 제품. (사진=삼성전자 뉴스룸)

삼성전자 김기남 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다"고 말했다.

특히, 삼성전자는 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중된 중국시장에서 제조 경쟁력을 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

류궈중 산시성 성장은 축사를 통해 "삼성 프로젝트 2기 착공을 축하한다"며 "산시성은 앞으로도 삼성과 그 협력사들의 발전을 지원하며 협력관계를 강화할 것"이라고 밝혔다.

또 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역 경제 활성화와 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산, 2015년 후공정 라인 완공, 그리고 올해 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진해나가고 있다.