FMS 공로상 받은 김기남 사장 "100단 V낸드 가능"

낸드플래시 기술 발전 공로 '플래시메모리서밋 평생공로상' 수상

김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI 사업부 사장이 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit)'에서 평생공로상을 수상했다.

플래시 메모리 서밋은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 컨퍼런스로 매년 플래시 메모리 관련 기술의 개발과 시장 확대에 뛰어난 리더십을 보여준 개인에게 FMS 평생공로상을 수여하고 있다.

김기남 사장은 삼성전자가 낸드플래시 용량을 2002년 2Gb에서 2006년 32Gb로 매년 2배씩 늘리며 플래시 메모리 기술을 발전시긴 데 주도적인 역할을 한 공로로 이 상을 수상했다.

김기남 삼성전자 반도체총괄 사장(왼쪽에서 두번째)가 플래시 메모리 서밋 평생공로상을 수상했다. (사진=삼성전자)

김기남 사장은 수상 소감을 통해 “반도체 업계에 35년간 있었지만, 최근 플래시 메모리 수요 증대는 반도체 산업을 전혀 새로운 단계의 번영으로 이끌고 있다”면서 “2003년 삼성전자 반도체연구소장을 지냈을 때 부터 평면구조 낸드플래시의 한계를 극복하기 위해서는 혁신적인 기술이 필요할 것이라고 생각했다”고 밝혔다.

이어 그는 “삼성전자는 2004년부터 전하를 부도체에 저장하는 CTF (Charge Trap Flash)기술 개발을 시작하고 2007년 수직 낸드 구조에 CTF 기술을 적용하는데 성공했다”면서 “여러 기술적 어려움에도 불구하고 V낸드를 개발하기 위해 지속적인 노력을 해왔으며 2013년 8월 세계최초로 1세대 24단 V낸드를 양산한데 이어 올해 말 64단 V낸드를 양산할 계획”이라고 말했다.

또 “삼성전자의 V낸드 기술은 하루아침에 이뤄진 것이 아니고, 10년 이상의 기간 동안 삼성전자 임직원들의 집념에 의해 가능하게 된 것”이라면서 “가까운 미래에 1Tb(테라비트) 낸드 플래시가 현실이 될 것으로 믿으며 이는 곧 100단 이상을 쌓을 수 있을 것이라는 의미"라고 설명했다.

한편, 이날 서밋에서 삼성전자는 4세대(64단) V낸드 기반 솔루션을 전격 공개하고 관련 제품을 올해 4분기부터 출시할 계획이라고 밝혔다.