SK하이닉스-도시바, 반도체 공정기술 공동 개발

SK하이닉스(대표 박성욱)는 일본의 도시바와 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술에 대한 공동개발 계약을 체결했다고 5일 밝혔다.

두 회사는 지난 12월 이번 협력에 대한 MOU를 체결한 바 있으며, 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다. NIL 기술 공동 개발은 오는 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 일본 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이며 2017년께 실제 제품에 적용될 예정이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있다. 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다.

업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발됐다.

NIL은 지난 2003년 ‘국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)’에 32나노 이하의 선폭을 실현 할 수 있는 새로운 방법으로 소개된 바 있다. 나노 임프린트 공정을 수행하기 위해서는 포토공정에서 마스크 역할을 하는 투명 탬플릿이 필요하다.

액체인 UV(Ultraviolet)레지스트를 기판 위에 코팅한 후 투명 스탬프를 접촉시키고 압력을 가하면 스탬프 사이로 패턴이 형성된다. 이후 광원을 투사해 패턴을 고체화 시킬 수 있다.

저렴한 UV를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에, ArF 이머젼 또는 EUV 노광장치 대비 가격 경쟁력이 있다고 평가받고 있다.

이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다.