삼성전자는 세계 최초로 20나노미터 공정에서 6Gb(기가비트) LPDDR3 모바일D램 본격 양산을 시작한다고 18일 밝혔다.
지난 3월 처음으로 PC용 4Gb DDR3 D램을 양산하기 시작한 삼성전자는 모바일 D램에서도 20나노 공정 제품을 처음으로 양산하게 됐다. 삼성전자는 향후 8Gb, 4Gb 등으로 라인업을 확장해나갈 계획이다.
20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램은 초소형 칩으로 더욱 작고 얇은 패키지는 물론, 인터페이스 최고 속도인 초당 2천133Mb로 데이터를 전송하면서도 소비전력을 더욱 낮춤으로써 최고 수준의 '초박형, 초소형, 초고속' 3기가바이트(GB) 솔루션을 제공한다.6Gb 제품은 3GB RAM을 만드는데 사용된다. 6Gb 모바일D램 칩 4개를 한 패키지에 적층해 모바일 프로세서(AP)와 함께 패키지온패키지(POP) 형태로 고성능 스마트폰에 주로 탑재되는 3GB RAM을 만들 수 있다.
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지난해 11월 처음으로 파일럿(시험) 양산을 시작한 삼성전자는 기존 공정 제품 보다 생산성을 30% 높여 향후 고성능 스마트폰과 태블릿은 물론 웨어러블 기기 등 빠르게 증가하고 있는 모바일 D램 수요를 선점할 수 있게 될 전망이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장 백지호 상무는 이번 20나노 모바일 D램은 시장 비중이 더욱 확대되고 있는 고성능 모바일 D램 시장을 선도해 나갈 가장 앞선 제품이라며, 향후에도 프리미엄 시장은 물론 보급형 모바일 시장까지 적용할 수 있는 차세대 솔루션을 선행 출시해 사업 위상을 지속적으로 높여 나갈 것이라고 말했다.