삼성, 3D TSV DDR4 D램 모듈 첫 양산

속도 2배 높이면서 전력은 반으로 줄여

삼성전자가 신기술인 3차원 TSV 적층 기술을 적용한 D램 모듈 양산에 돌입했다. V낸드에 이어 D램에도 3차원 TSV 기술이 도입된 세계 첫 사례다.

삼성전자는 3D 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈 양산에 돌입한다고 27일 밝혔다.

TSV는 기존 방식인 금선을 활용한 칩을 연결하는 방식 대신 얇게 깎은 칩에 수 백개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 이를 활용해 칩의 상단과 하단을 전극으로 연결하는 신기술이다. 기존 패키징 기술보다 속도를 2배 높이면서 소비전력을 절반 수준으로 낮출 수 있다.

삼성전자는 이미 지난 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발했고 서버제조 고객사와 기술협력을 추진해왔으며 올해부터 TSV 전용 라인을 구축하고 양산체제에 돌입하며 새로운 시장 창출에 나서게 됐다.특히 이날 발표한 64GB 대용량 서비용 DDR4 모듈과 하반기 중 출시될 글로벌 주요 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규 시장 공략에 나선다.

특히 TSV 기술 적용으로 현재까지 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 넘어 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 향후 64GB 이상 대용량 제품을 양산할 수 있게 됐다.

이에 따라 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 흐름에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64GB 이상 고용량 DDR4 모듈도 출시해 시장을 더욱 확대해 나갈 예정이다.

백지호 메모리사업부 메모리마케팅팀 상무는 TSV기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다며 향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하는 한편 글로벌 메모리 시장이 지속성장하는데 주도적인 역할을 할 것이라고 말했다.