삼성, 20나노급 DDR4 D램 시대 열었다

삼성전자가 세계 최초로 차세대 초고속 메모리 ‘DDR4’ 시대를 열었다.

삼성전자는 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 초고속 20나노급 DDR4 모듈 양산에 돌입했다고 30일 밝혔다.

우선 삼성전자는 20나노급 16GB(기가바이트) DDR4 모듈을 양산하며, 내년에는 두 배 용량의 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 빠르게 성장하고 있는 대규모 엔터프라이즈 서버 시장 공략에 나선다는 계획이다.

이번에 양산되는 20나노급 DDR4 D램 제품은 2008년 50나노급 DDR3 D램 이후 5년 만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품으로 세계 최소 칩 사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2천667Mb/s까지 빨라졌다. 20나노급 DDR3 D램보다 소비전력을 30% 이상 감소시키면서도 1.25배 빠른 속도를 구현한 것이 특징이다.

삼성전자가 20나노급 DDR4 D램을 탑제한 20나노급 32GB DDR4 모듈을 본격 공급하면 현재 30나노급 8GB DDR3 모듈이 주를 이루는 서버시장이 고성능·저전력·대용량의 DDR4 시장으로 빠르게 전환될 것으로 전망된다.

엔터프라이즈 서버에 탑재되는 D램의 처리 속도를 높이면 시스템 처리 성능을 높이면서도 전체 소비 전력을 대폭 낮출 수 있으며, 대용량 메모리를 통해 최소 비용으로 시스템 전체 성능을 극대화해 투자 효율도 높일 수 있다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 “초고속 DDR4 모듈은 하반기 차세대 서버 탑재를 시작으로 프리미엄 메모리 시장에서 본격적인 수요를 창출해 나갈 것”이라며 “내년에는 두 배 용량의 32GB DDR4 모듈을 중점 공급해 글로벌 고객들이 그린 IT 시장을 확대시키는데 기여할 것”이라고 말했다.