삼성전자, 세계 최초 20나노 4Gb D램 양산

종전 25나노 대비, 성능 30%↑ 소비전력 25% ↓

삼성전자가 세계 최초로 차세대 20나노 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 이달부터 양산한다고 11일 밝혔다.

20나노 D램은 지난 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다. 삼성전자는 독자 기술을 통해 기존 설비만으로도 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파하고 최소형 4기가비트 D램을 양산하게 됐다고 설명했다.

삼성전자가 양산에 성공한 20나노 D램에 삼성전자의 신개념 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐다

낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 20나노 공정 미세화가 더욱 어려웠다.

삼성전자는 D램 공정한계를 독자기술인 '개량형 이중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 기존 포토장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련했다.

셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다.

20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공한다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것이라며 향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 전 세계 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것이라고 말했다.