ST마이크로, 메모아 알고리즘메모리 IP 적용

ST마이크로일렉트로닉스는 메모아시스템즈의 알고리즘 메모리 기술을 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI) 공정으로 생산되는 주문형 반도체, 시스템온칩(SoC)의 임베디드 메모리에 적용할 수 있게 됐다고 26일 밝혔다.

메모아의 알고리즘 메모리 기술은 소비 전력은 낮추고 성능은 높이는 기술이다. ST마이크로는 이 기술을 FD-SOI에 적용해 소프트에러율(SER)은 낮추고 누설 전류도 최소화하는 반도체를 개발할 계획이다. 네트워킹, 교통, 의료, 항공우주 등의 분야에 적용한다.

필립 마가색 ST마이크로 설계 상용화 및 서비스 부문 수석 부사장은 “ST의 FD-SOI 공정 기술 자체로도 다른 공정 기술을 사용한 디바이스보다 더 빠르고 발열이 적은 ASIC과 SoC의 제조가 가능하다”며 “이제 메모아 시스템즈의 IP를 더해 FD-SOI는 더욱 매력적인 공정이 됐다”고 설명했했다. ST는 업계에서 처음으로 기존의 평면 벌크-실리콘 제조방식을 확장, 단순화하는 FD-SOI 공정 기술을 도입했다. ST의 FD-SOI 트랜지스터는 개선된 정전기 특성과 짧은 채널 길이로 벌크 CMOS를 이용해 만들어진 동급 트랜지스터 대비 더 높은 주파수에서 작동한다.