美·日, 차세대 반도체 'M램' 공동개발

일반입력 :2013/11/25 09:11    수정: 2013/11/25 09:19

정현정 기자

세계 2위 메모리 반도체 업체 미국 마이크론 테크놀로지와 일본 도쿄일렉트론 등 20여개 반도체 관련기업이 차세대 메모리 반도체 공동개발에 나선다.

24일 니혼게이자이신문은 미국과 일본의 반도체 관련기업이 스마트폰 등 모바일 기기 성능을 대폭 향상시키는 차세대 메모리 반도체인 M램(자기기록식 메모리) 기술 개발에 나섰다고 보도했다.

공동 개발에는 마이크론을 비롯해 세계 3위 반도체 장비 업체인 도쿄일렉트론과 세계 최대 반도체 웨이퍼 업체인 신에쓰화학공업, 일본의 반도체 대기업인 르네사스와 히타치제작소 등 각 분야의 기업들이 참여한다.

이들은 내년 초부터 연구 거점인 일본 도호쿠대학에 수십명의 엔지니어를 파견해 본격 기술개발에 착수한다. 이를 통해 2016년까지 기술개발을 완료하고 이르면 2018년부터 마이크론이 인수한 엘피다의 히로시마 공장에서 이르면 제품 양산에 들어간다는 계획이다.

이번 공동개발 착수에 대해 신문은 글로벌 경쟁력이 높은 일본의 소재·장비 업체들을 결집해 M램 원천기술을 조기에 확보하고 차세대 메모리 개발에 주도권을 쥐려는 것으로 분석했다. 특히 엘피다가 마이크론에 인수되는 등 일본 반도체 산업의 경쟁력이 저하되고 반도체 연구개발이 공동화 될 수 있다는 위기감이 대두된 상황에서 나온 소식이다.

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M램은 차세대 메모리로 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성의 장점과 D램에 비해 저장용량이 10배 늘어나고, 소비전력은 3분의 2 수준으로 줄일 수 있어 원가절감과 미세공정화의 한계에 직면한 D램의 대안으로 꼽힌다.

국내 양도 반도체 업체인 삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 M램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 일본 도시바와 공동으로 M램 공동개발에 나섰다. 지난 2011년 미국의 M램 개발업체인 그란디스를 인수합병(M&A)한 삼성전자도 내년부터 차세대 M램 연구개발 강화를 위한 대규모 협업 프로젝트를 가동할 예정이다.