P램·M램…차세대 메모리 경쟁 뜨겁다

세계 반도체 업체들의 차세대 반도체 기술 개발 경쟁이 본격화되고 있다.30일 반도체 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스·인피니언·IBM·ST마이크로일렉트로닉스 등 세계적인 반도체 업체들이 `P(상변화)램' `F(강유전체)램' `M(자기)램' 등 차세대 반도체 기술을 잇따라 선보이고 있는 등 이 분야의 경쟁이 치열해질 전망이다.삼성전자가 지난 11일 D램의 휘발성과 집적도의 한계를 극복한 비휘발성 64Mb CMOS P램 기술을 업계 최초로 개발한데 이어, 인피니언과 IBM이 지난 22일 M램을 개발했다고 발표했고, 29일에는 ST마이크로가 8Mb의 P램을 개발했다고 밝히는 등 차세대 메모리 기술 경쟁이 점화됐다.ST마이크로는 게르마늄·안티몬·텔루르 혼합물(GST)인 칼코겐화물(Chalcogenide)에 적절히 열을 가함으로써 안정된 두 상태(비결정 및 결정 상태) 사이에서의 스위칭이 가능하다는 사실을 이용해 P램을 개발했다고 밝혔다.P램은 물질의 상(Phase) 변화를 이용해 동작하는 메모리반도체로, 상이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트를 얻는 방식을 채택해 노어 플래시에 비해 속도가 1000배 빠르고 내구성도 훨씬 뛰어난 차세대 제품이다.ST는 0.18미크론 CMOS 공정을 이용할 경우 0.32㎛²의 면적 구현이 가능한 8Mb P램 데모제품을 6월 중순 호놀룰루에서 개최된 VLSI심포지엄에서 처음 소개했다. ST 측은 "P램 셀의 타당성이 입증되면서 이 기술의 장기적인 생존에 확신을 갖게 됐다"며 "이 기술이 궁극적으로 비휘발성 메모리 기술의 주류가 될 것으로 기대한다"고 밝혔다.이에 앞서 삼성전자는 작년 6월 일본 교토에서 열린 VLSI 심포지엄에서 P램과 관련된 3편의 논문을 발표한 데 이어 지난 11일 업계 최대용량의 64Mb P램을 내놓으며 차세대 메모리 경쟁에서 앞서 나갔다.삼성전자는 또 지난 2002년에는 업계 최고 집적도인 32Mb의 F램(Ferro electric RAM)을 개발해 다양한 차세대 메모리 개발에도 나서고 있다. F램은 대용량 저장기능의 D램, 고속동작의 S램, 비휘발성의 플래시메모리 기능을 한 칩에서 구현한 차세대 제품으로 주목받고 있는 제품이다.삼성전자 관계자는 "현재 D램과 플래시 메모리의 뒤를 이을 F램·M램·P램 등 모든 차세대 메모리 제품의 개발을 진행 중인 데, 특히 P램이 상용화에 가장 근접한 상황"이라고 말했다.인피니언과 IBM은 수년간 공동 개발을 통해 16Mb M램을 개발했다고 발표, 차세대 메모리 경쟁 대열에 뛰어들었다.M램은 F램과 마찬가지로 전원을 꺼도 정보가 날아가지 않는 플래시메모리의 비휘발성과 D램의 내구성, S램의 속도를 겸비한 차세대 메모리로 꼽히는 제품이다.인피니언은 "16Mb M램은 현재 최고 수준의 밀도를 제공하는 제품으로 최초의 정보 데이터를 기록하는데 걸리는 시간이 일반 플래시메모리에 비해 약 100만배 빨라 차세대 메모리의 주력으로 자리잡을 가능성이 높다"고 밝혔다.이밖에 하이닉스도 지난해 8Mb의 F램 샘플을 개발한데 이어 메모리연구소를 중심으로 차세대 메모리 기술에 나서고 있어, 올 하반기를 기점으로 세계 반도체 업체들을 중심으로 차세대 메모리 경쟁이 가속화될 것으로 보인다. @