삼성전자, M램 개발사 그란디스 인수

삼성전자가 자기저항메모리(MRAM) 개발사인 그란디스를 인수한다.

美지디넷 등 주요외신은 2일(현지시간) “삼성전자가 차세대 메모리를 개발하기 위해 그란디스를 자사 연구개발(R&D)부문에 합병할 예정”이라고 밝혔다.

그란디스는 지난 2002년 설립된 벤처회사로 M램 관련 62개의 특허를 보유하고 있다.

외신에 따르면 알렉스 드리스킬-스미스 그란디스 부사장은 “지난 해 하이닉스와 거래를 통해 54나노미터(nm) 공정을 사용한 칩을 생산하기도 했다”고 말했다. 이 회사는 앞으로 5년 후에 회로선폭을 20nm까지 줄이는 것을 목표로 하고 있다. 이 회사가 보유한 M램 관련 기술은 기존 공정보다 미세공정을 구현할 수 있는 것으로 알려졌다. 기존 M램은 회로선폭이 99nm이다.

M램은 낸드플래시와 D램의 장점을 동시에 갖고 있는 차세대 메모리 반도체로 주목받고 있다. 전기가 공급되지 않아도 정보를 갖고 있는 비휘발성 메모리이면서 전력소모가 적고 처리속도가 빠르다.

삼성은 물론 하이닉스 역시 지난달 13일 도시바와 M램 공동개발협력계약을 체결했다고 공시한 바 있다.