삼성, 잇따른 메모리신제품 ‘3D V낸드 SSD’

삼성전자가 최근 발표한 3차원 V낸드 메모리로 1TB 가까운 용량을 구현한 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 선보였다.

17일 업계에 따르면 삼성전자는 앞서 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시메모리서밋2013’에서 기업용 서버 및 데이터센터 인프라용 SSD 제품 'SM843T'를 공개했다. 10나노대 기술을 적용한 3D V낸드 기술을 활용한 제품은 960GB와 480GB, 2가지 용량으로 출시된다.

삼성전자는 지난 6일 양산 계획을 밝힌 3D V낸드 기술을 이번 제품에 적용해 성능을 개선시켰다. 제품은 기존 20나노급 제품 대비 쓰기 속도가 20% 이상 높아지고 동시에 전력 소비량이 40% 감소했다. 가로 10cm, 세로 7cm, 두께 0.7cm 등 초소형 2.5인치 크기는 서버 제품의 폼팩터를 보다 유연하게 설계할 수 있도록 했다는 평이다.

SM843T 960GB의 경우 128Gb 멀티레벨셀(MLC) V낸드플래시 64개와 SATA 6.0Gb/s 인터페이스 컨트롤러를 탑재해 고성능을 구현한다는 것이 회사의 설명이다.

당시 발표를 맡은 정은승 삼성전자 반도체연구소장 부사장은 “3D V낸드 기술을 적용해 10나노대 제품 생산에 대한 장애물을 뛰어넘었다”며 “메모리 기술의 새로운 시대를 맞이한 개척자로서, 친환경적이고 차별화된 메모리 제품 개발을 통해 기업과 고객들에게 위대한 가치를 함께 나누고자 한다”고 말했다.

삼성전자는 지난달 26일 10나노급 64Gb 고속낸드플래시를 기반으로한 내장멀티미디어카드(eMMC) 5.0 규격을 지원하는 ‘eMMC 프로’ 양산 시작을 발표했고, 이에 앞서 지난달 24일에는 3GB 모바일 D램을 세계 최초로 출시하는 등 메모리반도체 분야 1위 업체로서의 독보적인 행보를 이어가고 있다.