삼성, 3세대 20나노급 D램 내년 양산

삼성전자가 내년 20나노급 D램인 2z나노 제품을 양산하겠다고 발표했다. 2x나노, 2y나노에 이어 20나노급 3번째 제품이다.

6일 홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “2z 나노 계획이 당연히 있다”며 “2z 나노 D램은 내년 상반기 양산할 계획”이라고 말했다.

삼성전자는 지난해 2x 나노를 양산한 데 이어 이달 2y나노 양산을 시작했다. 이후 2z 나노까지 20나노급 공정이 이어질 전망이다. 2x, 2y, 2z는 삼성전자의 20나노급 공정 규격을 의미한다. 제품별로 앞선 미세공정 표기를 위해 동일 공정 내 개발 순서에 따라 x(1세대) → y(2세대) → z(3세대)로 표기한다.

이는 D램 나노 공정의 미세화가 그만큼 어렵다는 의미로 해석된다. 홍 부사장은 “D램의 경우 10나노로 갈지 여부에 대해서는 좀 더 두고봐야할 것”이라고 설명했다.

홍 부사장은 최근 낸드플래시 상황에 대해서도 언급했다. 최근 공급부족 현상이 나타났다는 설명이다. 홍 부사장은 최근의 낸드플래시 시황에 대해서는 “공급부족 현상 때문에 가격이 올라가고 있다”며 “수급에 의한 것인지 특정 업체 감산 때문인지는 명확하지 않다”고 말했다.

삼성전자는 낸드플래시에서는 SSD 시장을 크게 기대하고 있다. 홍 부사장은 “SSD는 낸드플래시 시장의 성장 모멘텀이 확실하다”며 “PC시장에서 올해 SSD 채택률이 12%였다면 내년에는 23%, 그 이상으로 탄력적으로 적용될 것”이라고 설명했다.

홍 부사장은 “SSD는 매년 10~12%씩 성장할 것”이라며 “(삼성전자 SSD 성장률은) 산업 성장률보다 더 높을 것”으로 자신했다.