SK하이닉스가 내년 상반기 중 10나노급 낸드플래시, 그리고 현재의 29나노보다 더 미세한 20나노급 D램을 양산할 계획이다. 현재의 미세공정 한계를 뛰어넘을 수 있는 차세대 극자외선(EUV) 장비 추가 도입도 계획중이라고 밝혔다.
24일 김정수 SK하이닉스 IR/PR그룹장은 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 향후 차세대 제품 양산 로드맵을 설명하며 “D램 2x 나노 다음 제품은 2y 나노로 계획중”이라고 말했다. “2y 나노는 20나노급 중저반대 제품이 될 것”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 30나노급 양산 과정에서 어려움을 겪은 이후 20나노급에서는 순항하고 있다. 2y나노에 대해서도 “R&D 상황이 순조롭게 이뤄지고 있다”며 “내년 초 양산에 들어갈 수 있도록 개발을 완료하는 것을 목표로 했다”고 설명햇다. 낸드플래시도 내년 초 10나노급 진입을 목표로 했다. 김 상무는 “낸드플래시 1x 나노에 대해서는 개발은 1분기, 2분기 초 완료할 예정”이라며 “2분기 말 께 양산을 시작할 목표를 갖고 있다”고 말했다.
SK하이닉스는 D램 2x 나노 제품에 대해서는 연말까지 비중이 20% 수준으로 늘어날 것으로 전망했다. 김 상무는 “2x 나노 제품 비중은 시장 상황을 봐가며 탄력적으로 대응하겠다”고 덧붙였다.
낸드플래시에 대해서는 트리플레벨셀(TLC) 보다는 MLC(멀티레벨셀)에 집중할 계획이다. TLC가 성능면에서 MLC 대비 취약하다는 설명이다.
SK하이닉스는 “가령 2x나노 TLC보다는 (공정이 더 미세화된) 2y나노 MLC가 원가, 성능이 더 낫다고 판단해 미세공정에 더 집중하고 공정 전환이 어렵다고 판단되는 1y 나노에 대해서는 TLC에 대해 내부적으로 개발하고 있다”고 강조했다.
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차세대 EUV 공정에 대해서는 내년 양산장비를 도입할 계획이다. SK하이닉스는 지난해 EUV 파일럿 장비를 도입한 바 있다.
SK하이닉스는 컨퍼런스콜에서 “EUV 양산화가 되기까지 장비업체, 재료업체 등과 생산성 있는 공정을 개발하겠다”며 “현재 초기 EUV 장비로 ASML과 공정을 공동개발하고 있다”고 설명했다.
