삼성, 플래시메모리 대비 100만배 강한 기술 개발

삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(저항변화형 메모리, Resistive Random Access Memory)의 쓰기-지우기 내구성, 속도 등을 대폭 향상시키는 기술 개발에 성공했다고 12일 발표했다.

삼성전자가 개발한 RRAM 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보했다.

삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눴다. 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했다. 삼성전자는 필라멘트 분포를 제어하는 RRAM 신기술 개발을 통해 쓰기-지우기 동작을 1조번 반복할 수 있는 우수한 내구성을 확보하는 것은 물론 메모리 전류량도 감소할 수 있게 됐다.

트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)

기존 RRAM 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.