하이닉스(대표 권오철)는 4일 30나노미터(nm)급 2기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 발표했다. 이 회사는 내년 하반기부터 제품 양산에 들어갈 계획이다.
DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서 데이터 전송속도는 2배로 높인 제품이다.
하이닉스는 또한 이 제품을 기반으로 오류수정코드(ECC) 기능을 위한 별도의 D램 칩을 장착한 소형 메모리 모듈(ECC-SODIMM)도 함께 개발했다고 밝혔다. ECC는 메모리 데이터를 전송할 때 발생하는 에러를 감지해 수정해 주는 기능으로 신뢰성이 중요한 서버와 같은 제품군에 필수적으로 사용된다.
하이닉스는 이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 2400Mbps의 데이터전송속도를 구현해 DDR3(1333Mbps)보다 80% 가량 속도를 향상시켰다고 설명했다.
2400Mbps의 데이터전송속도는 64개의 정보 입출력구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품에서 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트(GB) 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 1.5V 전압을 사용하는 DDR3 D램에 비해서는 50%이하로 전력소모량을 줄였다.
김지범 하이닉스 마케팅본부장은 “이번에 개발된 DDR4 제품은 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “PC·서버 시장은 물론 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
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아이서플라이에 따르면 DDR4 D램은 2013년부터 제품비중이 늘어나 2015년에는 D램 시장에서 절반이상 시장 점유율을 보일 것으로 예상된다.
한편 삼성전자는 지난 1월 4일 30nm 데스크톱용 DDR4 D램을 개발해 2012년부터 양산예정이라고 발표한 바 있다.
