하이닉스 올해 투자 D램 분야 70% 비중

하이닉스가 지난해 대비 올해 D램 분야 투자 비중을 늘릴 계획이다. 지난해 D램, 낸드에 각각 절반씩 비중을 두며 낸드 물량을 늘렸다면 올해는 D램에 총 투자액의 70~75%를 투입한다. 하이닉스 매출에서 차지하는 D램, 낸드 비중은 8:2 정도로 투자도 매출과 비슷한 비중으로 돌아섰다.

27일 하이닉스는 이날 오전 9시부터 진행된 영어 컨퍼런스콜을 통해 올해 투자 비중 등 주요 경영계획을 밝혔다. 우선 올해 투자규모는 최근 공시했던 것과 마찬가지로 지난해 투자규모와 비슷한 3조4천억원이 될 전망이다. 하이닉스는 이중 60%를 상반기 집행할 계획이다.

하이닉스는 컨콜을 통해 D램, 낸드플래시 미세공정 전환계획도 밝혔다. D램은 1분기내 30나노급이 양산될 예정이다. 4분기에는 20나노급 양산시작도 계획됐다.

낸드플래시의 경우 하이닉스는 내년 20나노급 제품 물량비중을 확대한다. 지난해 4분기 기준으로 낸드플래시 20나노급 비중은 10%가량이다. 현재 낸드플래시 양산물량중 가장 높은 비중을 차지하는 공정은 30나노급으로 4분기 기준 75%를 차지했다.

올해부터는 낸드플래시 20나노급 비중을 확 높일 계획이다. 1분기 낸드플래시 양산물량을 30% 이상으로 늘리고 연말에는 20나노급 비중을 70% 이상으로 높일 예정이라고 설명했다.

하이닉스는 솔리드스테이트드라이브(SSD), DDR4 양산계획도 밝혔다. 우선 SSD는 20나노급 제품을 이용해 오는 하반기 생산을 시작할 예정이다. 30나노급으로는 투입 비용이 만만치 않아 20나노급으로 제품을 생산키로 했다. 64, 32기가비트 제품이 주력이 될 전망이다.

DDR4는 오는 2014년에나 만날 수 있을 것으로 보인다. 하이닉스는 2014년 초 DDR4 제품을 출하할 계획으로 내후년에는 고객사에게 샘플을 선보일 계획이라고 밝혔다.