삼성전자, 파운드리 HKMG 첨단 공정 개발

삼성전자가 파운드리 업계 최초로 32나노 저전력 'HKMG(하이-케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate)' 로직 공정을 개발했다고 11일 밝혔다.

첨단 32나노 '하이-케이 메탈 게이트' 로직공정 개발로 삼성전자는 차세대 전략 사업으로 육성 중인 파운드리 사업이 한 단계 도약할 수 있는 계기가 마련됐다고 자평했다.

파운드리 업계에서 32나노 공정에 '하이-케이 메탈 게이트' 기술을 적용한 것은 삼성전자가 최초다.

삼성전자는 IBM 등 로직 기술 개발 파트너들과의 공동연구를 기반으로 기존 45나노 공정 대비 집적도가 2배인 32나노 '하이-케이 메탈 게이트' 기술을 개발했다.

'하이-케이 메탈 게이트' 기술은 신물질을 사용해 공정이 미세화 될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술이다.

이 기술은 스마트폰, 태블릿 PC등 차세대 모바일 기기 개발에 중요한 역할을 할 것으로 전망된다.

삼성전자는 32나노 공정에 '하이-케이 메탈 게이트' 기술을 적용해 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력도 30% 감소시켰다.

삼성전자는 ARM, 시놉시스, 케이던스 디자인 시스템, 멘토 그래픽스 등 IP, 설계 솔루션 파트너들과 협력을 통해 IP와 설계 프로세스 검증을 성공적으로 완료했다.

이를 통해 삼성전자 파운드리 고객들은 검증된 IP, 설계 솔루션을 제품 개발에 즉시 활용할 수 있게 됐다.

우남성 삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 담당 부사장은 "32나노 하이-케이 메탈 게이트 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표"라며 "삼성전자는 주요 기술 파트너들과 기술협력을 통해 모든 양산 준비를 마치고 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다"고 말했다.