하이닉스, 올해 투자 3조500억으로 늘린다

하이닉스반도체(대표 권오철)가 올해 투자를 기존 2조3천억원에서 7천5백억원 늘어난 3조5백억원으로 확대한다고 31일 밝혔다. 당초 계획에서 1/3 금액이 더 투자된다.

투자확대 배경으로는 견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장 환경이 변화되고 있는 가운데 서버, 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다. 차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.

이번 확대된 투자로 하이닉스는 경쟁사대비 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.

40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상돼 원가경쟁력이 강화된다. 하이닉스는 이를 바탕으로 DDR3 등 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.

하이닉스는 미세공정전환 가속화, 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가, 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획이다.