차세대 메모리 피램, 특허 출원 '활발'

기존 메모리의 단점을 극복할 수 있는 차세대 메모리 개발 경쟁이 치열한 가운데 피램(PRAM)에 대한 특허출원이 활발한 것으로 조사됐다.

피램은 상변화물질을 전기적으로 가열, 물질의 저항 정도에 따라 정보를 저장하고 판독하는 방식의 메모리 소자다.

11일 특허청에 따르면 지난해 국내 출원된 피램관련 특허는 204건이다. 경기침체로 전년(223건)에 비해서는 약간 감소된 수치다.

하지만 다른 종류의 차세대 메모리인 강유전체메모리(FeRAM), 자기저항메모리(MRAM), 저항변화메모리(ReRAM) 등에 비해서는 압도적으로 많다. 피램 외 차세대 메모리 관련 특허출원은 각각 20건, 53건, 66건에 그쳤다.

이는 피램이 전력을 차단해도 정보를 기억하는 플래시메모리의 장점과 고속 동작이 가능한 디램의 장점을 모두 갖추고 있기 때문이다.

기존 생산설비를 이용한 양산과 고집적화가 용이하기 때문에 기업들도 현재까지는 피램이 가장 경쟁력 있는 차세대 메모리라고 판단하고 있는 것으로 분석된다.

출원인별로는 하이닉스 148건(72.5%), 삼성전자 37건(18.1%), 한국전자통신연구원 등 국내 연구소 9건(4.4%), 마이크론 테크놀로지 등 외국 기업 10건(4.9%) 등이다.

국내 피램 연구를 주도하고 있는 삼성전자와 하이닉스는 각각 뉴모닉스와 피램 원천기술 보유기업인 오보닉스와 기술 협력을 통해 기반기술 확보에 주력해 왔다.

지난달에는 삼성전자가 마침내 피램 양산을 시작했다는 소식이 전해짐에 따라 피램의 상용화도 조만간 본격화될 것으로 예상된다.

MP3, 휴대폰, 디지털카메라 등 각종 IT 제품에 사용되고 있는 플래시메모리를 훨씬 작고 빠른 피램이 대신함으로써, IT 제품들의 성능 향상도 기대된다. 현재 플래시메모시는 전 세계적으로 연 200억달러 이상의 거대시장을 형성하고 있다.