IBM, 22나노미터 프로세서 'SRAM' 셀 발표

IBM은 22나노미터로는 최초로 실제 동작한다고 주장하는 SRAM(Static Random Access Memory) 셀을 18일(현지시간) 발표했다.SRAM 칩을 구성하는 SRAM 셀의 크기는 칩을 소형화하는 데 중요 요소. IBM은 차세대 칩 제조는 32나노미터가 기반이지만(현세대는 45나노미터 기반) 차세대는 22나노미터가 바탕이 되며, 그렇게 되면 6트랜지스터형 SRAM 셀 면적이 0.1제곱마이크론이 되면서 칩 소형화 실현에 기여할 것이라고 설명했다.이번 SRAM 셀 개발에는 AMD, 프리스케일세미컨덕터, ST마이크로일렉트로닉스, 도시바 및 나노스케일과학공학대학(CNSE)이 공동 참여했다. CNSE는 뉴욕주립대학교 앨버니캠퍼스에 있으며, IBM 등의 협력기업이 반도체 연구의 대부분을 이곳에서 진행하고 있다.새로운 셀 개발의 자세한 내용은 오는12월 샌프란시스코에서 열리는 IEEE의 국제전자기기회의(IEDM)에서 공개할 것이라고 IBM은 밝혔다. @