하워드 러트닉 미국 상무장관이 삼성전자·SK하이닉스의 미국 내 메모리 반도체 생산능력 확대를 공개적으로 촉구했다고 9일(현지시간) 블룸버그통신이 보도했다.
블룸버그에 따르면 러트닉 장관은 이날 뉴욕주 시러큐스 인근 마이크론 신규 공장 기념 행사에서 "삼성전자와 SK하이닉스도 미국에 생산시설을 짓게 하고 싶다"고 말했다.
러트닉 장관은 "마이크론이 먼저 움직이고 있어 경쟁사들도 결국 뒤따를수밖에 없을 것"이라며 "마이크론이 경쟁사 투자를 반기지는 않겠지만, 미국 내 반도체 공급망을 강화하는 것이 더 중요하다"고 밝혔다.
그간 미국 정부는 국내외 주요 반도체 기업들의 미국 투자를 강화하기 위한 각종 지원책을 펼쳐 왔다.
이에 마이크론은 최근 미국 내 반도체 설비투자 규모를 기존 2000억 달러에서 2500억 달러로 확대하겠다고 발표했다. 총 투자기간은 2035년까지로, 자사 전체 D램 생산량의 40%를 미국에서 양산하겠다는 목표를 세웠다.
삼성전자·SK하이닉스 역시 미국 내 설비투자를 집행 중이다. 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 최첨단 파운드리 팹을, SK하이닉스는 인디애나주 라스트웨피엣시에 최첨단 패키징 팹을 짓고 있다.
다만 이들 기업이 미국 내 메모리 전공정 팹을 보유하지는 않은 만큼, 이번 러트닉 장관 발언은 국내 반도체 업계에 투자 압박으로 작용할 전망이다.
삼성전자·SK하이닉스는 지난달 말 국내 대규모 반도체 투자계획을 공개한 바 있어, 투자 여력이 많지 않을 것이라는 시각이 지배적이다. 양사는 기존 용인 반도체 클러스터 구축과 더불어 청주 패키징 팹, 서남권 반도체 클러스터 구축 등에 도합 3200조원을 투자하기로 했다.
