SK하이닉스가 국내 주요 후공정 장비업체에 HBM4 양산을 위한 TC본더를 발주했다. 당장 규모는 크지 않지만, SK하이닉스가 올해 M15X·M8 등 유휴 공간을 넉넉히 확보한 만큼 연간으로 TC본더 투자가 꾸준히 진행될 것이라는 기대감이 나온다.
14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 HBM 제조용 TC본더를 동시 발주했다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)을 뚫어 연결한 차세대 메모리다. 각 D램을 연결하는 데에는 열압착 방식의 TC본더가 쓰인다.
현재 SK하이닉스는 1b(5세대 10나노급) D램 기반의 HBM4(6세대 HBM) 양산을 준비하고 있다. 핵심 고객사인 엔비디아가 차세대 AI 가속기인 '루빈' 칩에 해당 HBM을 탑재할 예정이다.
이에 SK하이닉스는 이달 한미반도체·한화세미텍에 TC본더를 동시 발주했다. 한미반도체와 96억5천만원 규모의 공급계약을 맺었다고 공시했다. 한화세미텍은 별도의 공시를 올리지 않았으나, 비슷한 규모의 수주를 받은 것으로 파악됐다.
앞서 SK하이닉스는 지난해 하반기 업계 예상을 밑도는 TC본더 투자를 진행한 바 있다. 공격적인 설비투자보다는 기존 HBM3E용 TC본더 개조, 수율 상승 등으로 생산능력을 효율적으로 높이겠다는 전략에서였다.
다만 올해에는 TC본더 투자가 다시 활발히 진행될 것이라는 업계 기대감이 크다. 기존에는 후공정 투자를 진행할 공간이 부족했으나, 최근 여유 공간을 적극 늘린 덕분이다.
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우선 SK하이닉스는 지난해부터 청주 유휴 팹인 M8을 패키징 전담의 'P&T6'로 개조해 왔다. 이르면 올 1분기 말부터 장비 반입이 시작될 것으로 관측된다. 또한 SK하이닉스는 청주에 신규 팹인 M15X를 구축해 왔다. 해당 팹은 지난해 4분기부터 장비 반입이 시작된 상태다.
반도체 업계 관계자는 "SK하이닉스가 올해 M8, M15X 등 HBM용 TC본더 장비를 도입할 수 있는 공간을 넉넉히 마련했다"며 "이달 수주 규모는 그리 크지 않지만, 이미 추가 주문 논의가 진행되고 있어 연간으로 적잖은 투자가 발생할 수 있다"고 말했다.











