SK하이닉스, 내년 HBM4 '램프업' 속도 늦춘다

당초 대비 최소 1~2개월 지연…내년 상반기까지 HBM3E가 과점

SK하이닉스가 내년 HBM4(6세대 고대역폭메모리)의 본격적인 양산 시점을 놓고 속도 조절에 나섰다. 당초 내년 2분기 말부터 HBM4의 생산량을 대폭 늘릴 예정이었지만, 최근 이를 3분기로 늦춘 것으로 파악됐다. 엔비디아의 AI칩 수요 및 차세대 제품 출시 전략에 맞춰 조절에 나선 것으로 풀이된다.

8일 지디넷코리아 취재에 따르면 SK하이닉스는 HBM4의 램프업(양산 본격화) 시점을 당초 계획 대비 한 두달 가량 늦췄다.

SK하이닉스 HBM4 12단 샘플(사진=SK하이닉스)

HBM4는 내년 엔비디아가 출시하는 차세대 AI 가속기 '루빈(Rubin)'부터 채용되는 HBM이다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개로 확대되며, HBM을 제어하는 로직 다이(베이스 다이)가 기존 D램 공정이 아닌 파운드리 공정에서 양산되는 점이 가장 큰 특징이다.

당초 SK하이닉스는 HBM4를 내년 2월경부터 양산하기 시작해, 2분기 말부터 HBM4 생산량을 대폭 확대할 계획이었다. 엔비디아가 HBM4 퀄(품질) 테스트를 공식적으로 마무리하는 시점에 맞춰 생산량을 빠르게 확대하려는 전략이다. 이를 위해 SK하이닉스는 대량의 샘플 시생산을 진행해 왔으며, 엔비디아의 요청에 따라 2만~3만개의 칩을 공급한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 이천 M16(사진=SK하이닉스 )

그러나 최근 계획을 일부 수정했다. HBM4의 양산 시점을 내년 3~4월부터로 미루고, HBM4의 생산량을 대폭 확대하는 시점도 3분기로 미뤘다. HBM4 양산을 위한 소재·부품 수급도 기존 대비 속도를 늦추기로 한 것으로 파악됐다.

사안에 정통한 관계자는 "SK하이닉스가 내년 상반기부터 HBM4 생산량을 점진적으로 늘려, 2분기 말에는 HBM4 비중을 크게 확대할 계획이었다"며 "그러나 현재는 최소 내년 상반기까지 전체 HBM에서 HBM3E의 생산 비중을 가장 높게 유지하는 것으로 가닥을 잡았다"고 설명했다.

또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 엔비디아와 내년 HBM 물량을 논의하면서 예상 대비 HBM3E 물량을 많이 늘린 것으로 안다"며 "엔비디아 루빈의 출시 일정이 지연될 가능성이 커졌고, HBM3E를 탑재하는 기존 블랙웰 칩의 수요가 견조한 것 등이 영향을 미쳤을 것"이라고 말했다.

현재 업계에서는 엔비디아 루빈 칩의 본격적인 양산 시점이 밀릴 수 있다는 우려가 팽배하다. 엔비디아가 루빈 칩의 성능 향상을 추진하면서 HBM4 등의 기술적 난이도가 높아졌고, 루빈 칩 제조에 필수적인 TSMC의 2.5D 패키징 기술 'CoWoS'가 계속해서 병목 현상을 겪고 있기 때문이다.

이에 대해 SK하이닉스 측은 "경영 전략과 관련해서는 구체적으로 확인해드릴 수 없으나, 시장 수요에 맞춰 유연하게 대응할 계획"이라고 밝혔다.