전영현 부회장 취임 1년...삼성 반도체 두번 실패는 없다

뚜렷한 목표로 연구개발·조직개편 단행…'책임 회피' 문화 과감히 타파해야 지적도

전영현 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문장(부회장)이 오늘(21일)로 취임 1주년을 맞았다. 전례없는 위기를 맞은 삼성 반도체 사업 부문의 '구원투수'로서 등판한 전 부회장은 정확한 문제 인식을 바탕으로 한 현실적인 제품개발 및 조직개편을 단행했다는 평가를 받고 있다.

반면 삼성전자의 고질적인 책임 회피 문화가 여전히 남아있고, 차세대 HBM(고대역폭메모리) 사업 등에서 명확한 성과를 보여줘야 한다는 과제도 동시에 제기된다.

21일 업계에 따르면 전 부회장은 지난 1년간 반도체 사업의 근원적 경쟁력 회복, 조직 구조 및 문화 개편 등에 주력해 왔다.

지난해 11월 삼성전자 기흥캠퍼스에서 열린 NRD-K 설비반입식에서 전영현 부회장이 기념사를 하는 모습(사진=삼성전자)

지난해 5월 '원포인트' 인사를 통해 DS부문장직에 오른 전 부회장은 취임 초기부터 어려운 경영 환경 속에서 많은 과제를 떠안았다. 당시 삼성전자는 메모리 시장의 부진으로 인한 수익성 감소, 최신 HBM의 상용화 지연, 최선단 파운드리 고객사 부재 등 여러 악재에 직면해 있었다.

당시 전 부회장은 취임사를 통해 "부동의 1위 메모리 사업은 거센 도전을 받고 있고, 파운드리 사업은 선두 업체와의 격차를 좁히지 못한 채 시스템LSI 사업도 고전하고 있다"며 "새로운 각오로 상황을 더욱 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 반드시 한마음으로 힘을 모아, 최고 반도체 기업의 위상을 되찾기 위해 다시 힘차게 뛰어 보자"는 각오를 밝힌 바 있다.

전 부회장, 현 DS 부문 문제점 정확히 짚어…변화 방향성 '긍정적' 

이후 전 부회장은 삼성전자 반도체 사업의 근원적인 경쟁력 회복을 위한 대대적인 혁신에 나섰다. 특히 기존 회사의 기술적 문제점을 정확히 파악하고 개발 방향성을 바꾸는 등 보다 '현실적인' 대안책을 마련하고 있다는 게 업계의 평가다.

삼성전자 내부사정에 밝은 한 관계자는 "삼성전자 반도체 조직이 워낙 거대하다보니 부서 간에 원활한 소통이 어렵고, 때로는 실무진이 중심인 화성과 최종 결정권자인 서초 간의 정보가 왜곡되는 문제점이 있었다"며 "다행히 전 부회장은 현존하는 약점 및 문제점에 대한 맥을 비교적 정확히 짚고, 지시를 내리는 것으로 안다"고 설명했다.

삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 하고 있는 1c D램(6세대 10나노급 D램)이 대표적인 사례다. 해당 D램은 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 적용될 예정으로, 삼성전자는 지난해 하반기 첫 양품(Good Die)을 확보하는 등 성과를 거뒀다. 그러나 실제 수율 확보에는 난항을 겪었는데, 선폭 미세화에 따른 안정성 하락이 주된 원인으로 지목됐다.

삼성전자가 개발한 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E(사진=삼성전자)

이에 삼성전자는 지난해 말 1c D램의 주변 회로의 선폭을 키우는 방향으로 재설계 결정을 내렸다. 이 경우 공정 난이도가 하락해 칩의 안정성을 높일 수 있다. 다만 전체 칩 사이즈가 커져 웨이퍼 대비 생산량이 하락하기 때문에, 제조 비용 측면에서는 불리하다.

반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 엔비디아향 HBM3E 공급에 차질을 겪어 왔고, 차세대 HBM4 역시 최선단 D램 적용으로 개발이 쉽지 않을 것이라는 우려가 많았다"며 "원가 경쟁력을 포기하고서라도 1c D램 재설계를 추진한 것은 그만큼 부족한 현실을 받아들이고 제품 상용화를 우선순위에 뒀다는 것을 의미한다"고 말했다.

조직 개편 측면에서는 지난해 7월 HBM 개발팀을 신설하고, 전 부회장 직속으로 AVP(어드밴스드패키징) 사업팀을 재편했다. 또한 반도체 공정 기술을 연구하는 설비기술연구소의 기능을 사실상 축소했다. 기존 반도체연구소 역시 R&D 역할을 담당하고 있어, 조직을 보다 효율화하기 위한 전략이라는 분석이 나온다.

또 다른 관계자는 "전 부회장 체제 하에서 삼성전자는 기존 방대했던 연구개발 조직이 슬림화되고, 인력 관리가 더 타이트해지는 추세"라며 "전 부회장이 직접 엔비디아를 찾아가는 등 사업 목표 달성을 위한 집중도도 이전보다 높아진 분위기"라고 말했다.

여전히 남아있는 '책임 회피' 문화…과감한 결단 내려야

그러나 삼성전자 반도체가 체질을 개선하기 위해서는 더 과감한 결단이 필요하다는 지적도 제기된다. 회사 안팎의 이야기를 종합하면, 현재 삼성전자가 개선해야 할 가장 큰 한계점은 '책임 회피 문화'로 지목된다.

반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 내부적으로 위기감을 인지하고는 있으나, 비교적 큰 규모의 기술 및 공정 변화에 대해서는 여전히 망설이고 있는 상황"이라며 "소위 '총대'를 메고 과감한 시도를 하려는 문화가 없다면 삼성전자가 맞이한 지금의 위기 상황이 지속될 것"이라고 꼬집었다.

실제로 삼성전자는 신기술 도입을 위한 JDP(공동개발 프로젝트) 진행 등에서 더딘 모습을 보이고 있다. 협력사가 신기술을 제안하더라도 삼성전자 측에서 개발 실패 시 부담할 비용을 고려해 소극적인 태도를 보이거나, 처음부터 비용을 부담하지 않으려하기 때문이다. 최근까지도 전공정·후공정 분야에서 이와 같은 이유로 JDP가 성사되지 않은 일이 다수 있었던 것으로 파악됐다.

삼성전자의 메모리·파운드리 팹이 위치한 평택 캠퍼스(사진=삼성전자)

올 하반기부터 HBM·파운드리 등 본격적인 성과 기대

전 부회장의 취임 후 삼성전자 반도체 사업은 개발 및 사업 전략에서 많은 변화를 겪었다. 올 하반기부터는 이러한 노력의 성과가 차츰 드러날 것으로 전망된다. 그 중에서도 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM3E 및 HBM4의 상용화 여부가 중대한 관심사다.

전 부회장은 지난 3월 회사의 제56기 정기주주총회 현장에서 "고객의 피드백을 적극 반영해 빠르면 2분기, 늦으면 하반기부터 HBM3E 12단 제품이 시장에서 주도적 역할을 할 것"이라며 "HBM4와 커스텀 HBM 등 신시장에서는 과오를 되풀이하지 않도록 차질 없이 개발 및 양산을 진행할 예정"이라고 밝힌 바 있다.

실제로 삼성전자는 지난 2월경부터 엔비디아향 공급을 전제로 HBM3E 12단 제품을 선제적으로 양산하는 등 구체적인 대응에 나서고 있다. HBM을 위한 1c D램 생산능력 확대도 올 상반기에 이어 하반기에도 꾸준히 진행될 예정이다.

시스템반도체 분야도 하반기 반등을 위한 준비로 분주하다. 최선단 공정인 2나노미터(nm) 분야에서 대형 고객사를 확보하기 위해 글로벌 빅테크와의 협의를 꾸준히 진행하고 있다. 특히 올 하반기 퀄컴의 최신형 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)인 '2세대 스냅드래곤 8 엘리트(모델명 SM8850)' 제품을 소량 양산할 수 있을 것으로 기대된다.