삼성전자가 메모리사업을 전두지휘할 수장으로 전영현 부회장을 택했다. 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리), 낸드 등 메모리 전반의 기술력이 흔들리는 가운데 전 부회장이 메모리 경쟁력을 회복할 수 있도록 '추진력'을 부여하려는 쇄신 전략이다.
삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 전영현 부회장을 삼성전자 DS부문장에서 DS부문장 겸 메모리사업부장, SAIT 원장으로 선임했다.
■ 메모리 경쟁력 회복 위한 '추진력'에 방점
삼성전자는 이번 인사로 메모리사업부의 경쟁력 회복 가속화에 집중할 전망이다. 파격적이고 새로운 인재를 등용하는 대신, 사업 전반을 빠르게 끌고 나갈 수 있는 전영현 부회장이 메모리사업부장을 총괄하게 된 대목도 여기에 있다.
현재 삼성전자 메모리사업부는 D램, 낸드 전반에서 난항을 겪고 있다. 일례로 D램 부분은 레거시 제품을 중심으로 중국 CXMT 등 후발주자들의 추격이 거세다. CXMT의 연간 D램 생산능력은 2022년 월 7만장 수준에서 2023년 월 12만장, 올해 월 20만장으로 가파른 성장세를 보이고 있다.
최선단 공정은 2021년 양산한 1a(4세대 10나노급)와 지난해 양산한 1b(5세대) D램부터 경쟁력이 흔들리고 있다는 지적을 받는다. 차세대 D램의 향방을 결정 지을 1c(6세대) D램도 현재로선 수율이 저조한 것으로 알려졌다.
이로 인해 삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아향 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 공급이 지연되는 문제를 겪고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만들기 때문에 D램의 기본적인 성능과 안정성이 갖춰져야만 HBM의 경쟁력을 갖출 수 있다.
이러한 상황에서 삼성전자는 전영현 부회장에게 메모리사업에 대한 전권을 맡길 것으로 관측된다.
삼성전자 출신 반도체 업계 고위 임원은 "현재로선 메모리사업부에서 공정 기술과 마케팅을 전반적으로 관리할 인물은 전영현 부회장밖에 없는 상황"이라며 "특히 메모리는 리더의 맨파워가 가장 중요한데, 전 부회장의 경우 추진력 하나는 확실한 것으로 평가받고 있다"고 설명했다.
또 다른 관계자는 "전 부회장은 HBM(고대역폭메모리) 사업에서도 과감한 조직개편을 시행하는 등 인사적인 부분에도 깊게 관여하고 있다"며 "메모리 사업의 전공정, 후공정 등 모든 전권이 전영현 부회장에게 쥐어지는 추세"라고 말했다.
■ '젊은 피'가 없다…우려의 시각도
다만 삼성전자 반도체 사업부문의 중장기 미래를 책임질 새로운 인재가 발탁되지 않았다는 우려의 목소리도 제기된다.
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반도체 업계 관계자는 "이번 삼성전자의 사장단 인사는 전체적으로 혁신보다는 기존 임원들을 재배치하거나 복귀시키는 방향으로 이뤄졌다"며 "메모리사업부장의 경우 전영현 부회장이 적임자로 꼽히기도 하지만, 현재로선 다른 마땅한 후보가 없다는 이야기가 삼성 안팎에서 나오고 있다"고 말했다.
한편 전영현 부회장은 지난 2000년 삼성전자 메모리사업부로 입사해 D램 및 낸드 개발, 전략 마케팅 업무를 거쳐 2014년부터 메모리 사업부장을 역임했다. 이후 2017년에는 삼성SDI로 자리를 옮겨 5년간 삼성SDI 대표이사 역할을 수행한 뒤, 올해 삼성전자 미래사업기획단장으로 위촉됐다. 지난 5월에는 DS부문장직에 올랐다.