반도체 장비기업 ACM리서치는 자사의 'Ultra Fn A' 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 퍼니스 장비가 중국 반도체 제조 고객사의 공정 적격성 인증(PQ)을 완료해 양산에 진입했다고 12일 밝혔다.
또한 ACM은 지난 2022년에 출시한 Ultra Fn A 열 원자층 증착(Thermal ALD) 퍼니스 장비를 또 다른 중국 주요 고객사의 공정 인증을 성공적으로 완료했다. 해당 인증에서 ACM은 경쟁 장비를 능가하거나 동등한 성능을 입증했다.
ACM의 Ultra Fn A PEALD 장비는 초박막 실리콘 질화물(SiN) 박막 증착을 위해 설계됐다. 이 장비는 이중 층 튜브와 공기 흐름 균형 기술을 갖추고 있어 웨이퍼 내 균일도(WIW)와 웨이퍼 간 균일도(WTW) 두 가지 모두를 크게 향상시킨다.
플라즈마 강화 기술을 활용하면 장비의 열 예산을 효과적으로 줄일 수 있다. 뿐만 아니라, 반응 튜브 내 전구체 저장 및 방출량을 정밀 조정함으로써 디바이스의 중요한 치수와 패턴 프로파일을 정확하게 제어할 수 있다.
ACM의 Ultra Fn A 퍼니스 ALD 제품은 열 ALD 및 PEALD 두 가지 타입 모두 경성 마스크, 배리어, 스페이서, 측벽 보호층과 같은 다양한 박막 증착 작업을 수행할 수 있어 대상 공정 애플리케이션의 다양한 요구 사항을 지원한다. 두 구성 모두 300mm 웨이퍼를 100개 이상 배치(batch) 처리할 수 있는 6-조 시스템이 특징이다.
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또한 장비에는 로딩 영역에서 산소 농도를 제어하는 4개의 로드포트(loadport) 시스템, 통합 가스 공급 시스템(IGS), 그리고 in-situ 건식 세정 기능을 포함하고 있으며, 모두 반도체 제조장비 재료 협회(SEMI) 표준을 충족하도록 설계됐다.
데이비드 왕 ACM 리서치 사장 겸 최고경영자(CEO)는 “현대의 첨단 집적 회로(IC) 제조는 뛰어난 스텝 커버리지와 우수한 품질을 갖춘 초박막 필름 증착에 점점 더 의존하고 있다”며 “실리콘 탄소 질화물(SiCB) 박막, 실리콘 질화(SiN) 박막 및 저유전율(low-k) 박막과 같은 물질을 증착하는 데 있어 복잡성을 해결하려면 진정한 혁신이 필요하며, ACM의 연구개발팀은 우리의 ALD 플랫폼과 공정을 통해 이를 실현했다"고 밝혔다.