반도체 장비 업체 ACM리서치는 주력 제품인 울트라C 타호(Tahoe) 세정 장비의 성능을 크게 향상시켰다고 21일 발표했다.
울트라 C 타호는 중저온 과산화황 혼합물(sulfuric peroxide mix, SPM) 공정에서 사용되는 독립형 싱글 웨이퍼 세정 장비다. 타호의 특허 받은 하이브리드 아키텍처는 배치 웨이퍼 처리(batch wafer processing)와 싱글 웨이퍼 세정 챔버를 동일한 SPM 툴에 결합한 업계 최초의 제품이다.
이 하이브리드 아키텍처는 향상된 세정 성능, 높은 처리량, 우수한 공정 유연성을 제공하며, 화학약품 사용을 최대 75%까지 줄일 수 있다. 이런 성능 향상 덕분에 반도체 제조 업체는 황산 사용 절감만으로도 연간 최대 50만 달러의 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 황산 사용이 줄어든 만큼 그에 따른 처리 및 폐기물 감소로 인해 환경적, 비용적으로 추가적인 이점을 누릴 수 있다.
타호 플랫폼의 첨단 세정 기능은 26나노에서 평균 입자 수를 6개 이하로 달성해 첨단 노드 제조 환경의 엄격한 요구 사항을 충족한다. 또한 이 장비는 더 미세한 입자에 대한 필터링 시스템이 추가되어 최첨단 로직 및 메모리 애플리케이션을 위한 10나노대 크기의 입자를 제거할 수 있다.
또 벤치 모듈의 슬롯 수가 기존 13개에서 25개로 늘어나고, 싱글 웨이퍼 챔버는 기존 8개에서 9개로 각각 늘어나 시간당 200개 이상의 웨이퍼 처리가 가능해졌다. 이는 12챔버 SPM 시스템의 성능에 견줄 만하다.
LDD(lightly-doped drain), SD(source/drain)과 같은 주요 루프를 포함해 30개 이상의 생산 레이어에 대한 인증을 받았다. 이 외에도 추가적 레이어 및 애플리케이션이 현재 개발 중이다.
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ACM의 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 "AI가 초미의 관심사로 떠오르면서 반도체 칩 제조가 환경에 미치는 영향에 대한 대중의 관심이 높아질 것으로 예상한다"라며 "ACM의 울트라C 타호 장비는 고객이 첨단 AI 칩의 생산을 늘리면서도 환경에 미치는 영향을 줄일 수 있게 도와준다"고 밝혔다.
업그레이드된 울트라 C 타호 장비는 현재 중국 내 여러 고객들의 양산 시설에서 활용되고 있다. 이 외에도 몇몇 로직 및 메모리 고객들이 이 장비를 평가하고 있으며, 올해 말까지 추가적인 장비를 공급하게 될 것으로 ACM은 예상하고 있다.