국내 반도체 부품업체 디에스테크노가 티씨케이를 상대로 제기한 SiC(탄화규소) 포커스링 관련 특허 무효 소송에서 1심 승소했다. 이를 통해 디에스테크노는 SiC링 시장 확대에 속도를 낼 것으로 관측된다. 반면 티씨케이는 이전에 유효성을 인정받은 또 다른 특허로 법적 대응을 지속해나가겠다는 입장이다.
12일 업계에 따르면 특허심판원은 디에스테크노가 티씨케이를 상대로 제기한 SiC링 물성 관련 특허 무효 소송에 대해 지난 11일 1심 승소 판결을 내렸다.
이번 소송은 특허 제2117888호(CVD 방식으로 형성된 SiC 구조체)의 무효 청구에 관한 것이다. 해당 특허는 SiC링의 열팽창계수(물체의 온도가 1°C 상승했을 때 부피가 얼마나 커지는 지 나타내는 척도)와 관련란 특허다.
앞서 티씨케이는 지난 2021년 디에스테크노를 상대로 제2117888호 특허침해금지 및 손해배상청구 소송을 낸 바 있다. 이에 디에스테크노는 지난 4월 해당 특허에 대한 무효심판을 청구했다. 티씨케이는 이후 7월 일부 항목에 대한 정정청구를 신청했으나, 법원은 해당 특허에 대해 무효 판결을 내렸다.
다만 이번 판결로 양사 간 갈등이 완전히 종식되는 것은 아니다. 티씨케이가 심결취소소송을 제기할 가능성이 있고, 제2117888호 외에도 양사 간 소송을 진행 중인 특허가 남아있기 때문이다.
티씨케이 관계자는 "이번 결과로 티씨케이의 특허 중 하나가 무효 판결을 받은 것은 아쉬우나, 티씨케이가 가진 SiC링 제조방법 관련 특허는 여전히 유효한 상황"이라며 "이를 기반으로 한 특허침해소송에 잘 대응하도록 할 것"이라고 밝혔다.
SiC링은 반도체 제조공정에서 웨이퍼를 고정시켜 주는 소모성 부품이다. SiC는 기존 소재인 쿼츠, 실리콘(Si) 대비 내구성이 뛰어나, 3D 낸드 생산에 활용되고 있다.
티씨케이는 기존 SiC링 시장에서 80% 이상의 점유을을 차지해 왔다. 후발주자격인 디에스테크노가 시장에 진입하려고 하자, 티씨케이는 지난 2019년 SiC링과 관련한 물성·제조방법 특허 2건(제1866869호·제1914289호)으로 디에스테크노에 소송을 제기했다.
이 중 SiC 소재의 물성과 관련된 특허 제1866869호는 디에스테크노가 승소했다. 법원은 특허 제1866869호에 대해 무효 판결을 내렸다.
특허 제1914289호는 투과도가 다른 복수의 층을 갖는 SiC 반도체 제조 부품 및 제조방법에 관한 것이다. 해당 특허와 관련된 소송은 지난 3월 대법원 최종심이 나왔다. 해당 특허 중 물성 특허(청구항 1~8)는 무효화됐으나, SiC링 제조방법(청구항 9~17)은 유효성이 인정됐다.
당시 티씨케이는 유효 판결을 받은 특허 제1914289호로 특허침해소송을 이어가겠다는 방침을 밝혔다.
SiC링을 제조하기 위해서는 링 위에 SiC 가스를 분사해야 하는데, 단일 노즐을 계속 사용하게 되면 분사구가 막혀 SiC 막이 고르게 형성되지 못한다. 이에 티씨케이는 여러 개의 노즐을 연속으로 사용해 SiC막에 층이 생기게 하는 방식을 도입하고 있다. 티씨케이는 디에스테크노의 SiC링도 노즐 교체 및 층이 생기는 방식이기 때문에 자신들의 특허를 침해한다고 보고 있다.
그러나 디에스테크노는 해당 특허를 충분히 회피할 수 있다는 입장을 고수하고 있다. 노즐을 교체한다 하더라도 세부적인 방법이 다르다는 주장이다.
한편 티씨케이와 디에스테크노의 SiC링 관련 특허 소송은 다른 기업들에게도 영향이 불가피하다는 점에서 업계의 주목을 받아 왔다. 국내에서는 하나머티리얼즈, 케이엔제이 등이 SiC링 사업을 영위하고 있다.
