유럽 종합반도체업체 ST마이크로일렉트로닉스가 중국 기업과 협력으로 현지 실리콘카바이드(SiC) 생산능력을 강화한다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 7일 보도했다.
ST마이크로는 중국 삼안광전과 합작사(JV)를 설립해 중국 충칭시에 200mm SiC 제조공장을 건설할 계획이다. 새롭게 건설될 공장은 오는 2025년 4분기부터 제품을 생산하고, 2028년 전체 증축을 마무리하는 것을 목표로 한다. 투자 규모는 총 32억 달러(한화 약 4조1천억원)로 추산된다.
ST마이크로는 "이번 JV는 ST마이크로의 독자적인 제조 기술을 활용해 회사의 전용 제품을 만들 예정"이라며 중국 고객사의 수요를 지원하는 ST마이크로의 전용 파운드리 역할을 할 것"이라고 설명했다.
삼안광전은 ST마이크로의 생산능력 확대를 위해 SiC 기판 제조 공장을 별도로 건설하고 운영할 예정이다. 삼안광전은 중국 내 주요 전력반도체 기업으로, 중국 정부의 적극적인 지원 하에 SiC, GaN(질화갈륨) 기술력 및 제조역량 강화에 주력하고 있다.
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진마크 체리 ST마이크로 CEO는 "중국은 자동차 및 산업 분야에서 빠르게 전기화를 실현화고 있는 시장"이라며 "삼안광전과의 협업으로 중국 고객사들에게 완전히 수직계열화된 SiC 가치 사슬을 제공할 수 있게될 것"이라고 말했다.
SiC(실리콘카바이드)는 기존 반도체 소재인 실리콘(Si)을 대체하는 차세대 전력반도체 소자다. 실리콘 대비 고온·고압에 대한 내구성, 전력 효율성 등이 뛰어나다. 이에 자동차, 에너지, 통신 등 여러 산업에서 SiC 전력반도체에 대한 수요가 증가하는 추세다.
