삼성電, 올해 공격적 시설투자·기술 초격차로 불황 극복

삼성전자가 올해 글로벌 IT 수요 부진과 반도체 시황 약세가 지속된다는 전망에도 공격적인 시설투자를 통해 기술 초격차에 더욱 박차를 가한다는 전략을 내놨다.

특히 고용량 메모리, 파운드리 3나노 2세대 개발, QD-OLED 확대, 프리미엄 스마트폰 및 가전 등에 주력해 기술을 선점하고 수익성을 확보하겠다는 방침이다.

■ 반도체 시황 악화에도 "감산 없다"…시설투자 전년과 유사

삼성전자는 컨퍼런스콜에서 시설투자(CAPEX)를 전년과 비슷한 수준으로 단행하겠다고 밝혔다. 올해 반도체 시황 약세에도 미래 성장을 위한 준비 차원에서 시설투자를 유지한다는 전략이다.

삼성전자는 지난해 시설투자에 총 53조1천억원을 집행했으며, 그 중 반도체에 47조9천억원을 투자한 바 있다. 이는 역대 최대 규모의 반도체 시설투자였다.

삼성전자는 "중장기 수요 대응을 위한 인프라 투자를 지속해 필수 클린룸을 확보하고자 한다"며 "최고의 품질과 라인 운영 최적화를 위해 생산라인 유지보수 강화와 설비 재배치 등을 진행하고 미래 선단 노드로의 전환을 효율적으로 추진 중이다"고 말했다. 이어 "공정 기술 경쟁력 강화와 조기 안정화를 위해서 엔지니어링 비중을 확대 중이며 이에 따라 시설투자 내에서 R&D 항목 비중도 이전 대비 증가할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

메모리는 DDR5, LPDDR5x, GAA(Gate-All-Around) 등 첨단 공정과 제품 비중을 확대하면서 서버·모바일용 고용량 제품을 중심으로 수요 성장세에 적기 대응할 계획이다. 파운드리는 차세대 GAA 공정 경쟁력을 바탕으로 3나노 2세대 공정의 신규 고객 수주를 확대하고, 2나노 1세대 개발에 집중해 기술 경쟁력을 강화할 계획이다. 오토모티브 공정은 5나노에 이어 4나노 개발에 착수했다. 현재 건설 중인 미국 테일러 팹에서는 내년 하반기부터 4나노 반도체를 생산할 예정이다.

삼성전자는 "3나노 2세대 공정은 내년 예정대로 양산할 계획이고, 수주와 관련해 다수의 모바일, 고성능컴퓨팅(HPC) 고객들이 관심 보인다"며 "2세대 공정은 1세대 대비 면적, 성능, 전력 효율이 개선됐다"고 덧붙였다.

이어 "시스템LSI는 중저가 모바일용 SoC(시스템온칩) 대량판매 제품을 확대하고 이미지센서는 차별화 제품인 2억 화소 라인업을 확대할 예정이다"고 말했다. 더불어 차량용 SoC는 유럽 프리미엄 OEM 업체 자율주행용 제품에 대한 추가 수주를 통해 미래 성장 모멘텀을 이어갈 계획이다.

■ 1분기 수요 침체 계속… 프리미엄 스마트폰·TV로 승부수

삼성전자는 올 1분기에도 거시경제 불확실성이 지속되면서 스마트폰 실적이 전년보다 감소할 것으로 전망했다. 1분기 TV 시장은 계절적 비수기 진입과 더불어 글로벌 경기 불황 영향이 지속되며 전 분기 및 전년 동기 대비 수요 감소를 예상했다.

이에 삼성전자는 플래그십 제품 경쟁력 강화를 위해 폴더블 제품 고성장과 갤럭시S23 시리즈 판매 확대를 추진할 방침이다. 또 중저가 시장에서 5G 스마트폰 판매를 확대해 시장 역성장을 극복하고, 프리미엄 태블릿 라인업과 웨어러블 제품 경쟁력을 강화해 판매를 확대한다는 목표다.

삼성전자는 갤럭시 스마트폰에 최적화된 애플리케이션 프로세서(AP)를 개발하기 위해 작년 12월 MX사업부 내에 'AP 솔루션 개발팀'을 신설했다고 밝혔다. 이를 통해 제품 경쟁력뿐만 아니라 갤럭시만의 차별화된 고객 경험을 지속 강화한다는 방침이다.

생활가전은 비스포크 인피니트 라인 등 신제품을 출시해 프리미엄 제품 판매를 확대하고 비용 효율화를 통한 수익성 확보에 주력할 계획이다. TV를 담당하는 VD는 네오 QLED를 중심으로 프리미엄 중심 판매 전략을 유지하면서 마이크로 LED와 OLED 라인업을 강화한다고 밝혔다.

그 밖에 네트워크는 주요 해외 사업 확대에 적기 대응해 매출 성장세를 유지하고, 5G 핵심칩과 vRAN(가상화 기지국) 등 기술 리더십을 지속 강화할 예정이다.