SK하이닉스는 9일 HKMG(고유전율 금속 게이트) 공정을 적용한 모바일용 LPDDR5X 메모리 개발을 완료하고 최근 고객사 대상 출하에 나섰다고 밝혔다.
HKMG 공정은 D램을 구성하는 트랜지스터 내부 절연막에 유전율(K)을 높인 소재를 적용한다. 누설 전류를 줄이고 정전 용량은 높여 메모리에 공급되는 전력량을 줄이고 소모 전력을 개선할 수 있다.
HKMG 공정은 주로 소비 전력이 큰 PC용 프로세서에 쓰였다. SK하이닉스는 HKMG 공정을 모바일용 저전력 메모리에 적용해 상용화에 성공했다.
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이번에 개발된 HKMG 공정 기반 LPDDR5X 메모리는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하지만 전 세대 제품 대비 소비전력을 최대 25% 줄였다. 반면 대역폭은 전 세대 대비 33% 향상돼 최대 8.5Gbps를 기록했다.
SK하이닉스는 "이번에 개발한 LPDDR5X 메모리는 소비 전력을 낮춰 모바일 기기의 전력 소모를 줄이고 배터리 지속시간을 늘려 한번 충전으로 더 오래 쓰는 효과를 가져올 것"이라고 설명했다.
