일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 21일 600V 전압을 견디는 저손실 파워 반도체(Super Junction MOSFET)를 선보였다.
로옴은 ‘금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET·모스펫)’ 신제품 ‘R60xxVNx’의 손실 전력을 기존 제품보다 20% 줄였다고 소개했다. 소자가 켜졌다가 완전히 꺼질 때까지 걸리는 역회복 시간(Reverse Recovery Time)을 줄였다. 역회복 시간이 짧을수록 전원을 켰다 끌 때 손실되는 전력이 적다.
전기자동차(EV) 충전소와 서버, 기지국처럼 전력을 많이 쓰는 곳에서 사용하기 알맞다며 소비 전력을 줄일 수 있다고 로옴은 강조했다.
로옴 관계자는 “저소비전력 제품으로 환경 보호를 비롯한 사회 과제 해결에 기여할 것”이라고 말했다.
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