인텔, IEEE 학회서 컴퓨팅 발전 위한 신기술 공개

패키징·트랜지스터·양자물리학 등 선행 기술 공유

인텔은 지난 11일부터 오는 15일까지 미국 캘리포니아 주 샌프란시스코에서 진행되는 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2021을 통해 핵심 패키징, 트랜지스터, 양자 물리학 분야 신기술을 공개했다고 밝혔다.

인텔은 이 행사를 통해 3D 적층 반도체의 집적도를 향상시킬 수 있는 포베로스 다이렉트 등 패키징 기술, 오는 2024년부터 적용될 새로운 3차원 트랜지스터 구조인 리본펫, 한 반도체 다이 당 수백만 개의 트랜지스터를 더 집적할 수 있는 새로운 소재 관련 연구 성과를 공개했다.

반도체 집적 기술 '포베로스 다이렉트' 개념도. (사진=인텔)

또 300mm 반도체 웨이퍼에 실리콘 기반 CMOS를 적용한 GaN(질화갈륨) 전원 스위치를 공개했다. 인텔은 "새로 개발한 스위치를 통해 프로세서 전력 손실을 최소화하고 PC 메인보드 부피를 줄일 수 있다"고 설명했다.

또 프로세서 등에 포함되는 임베디드 D램 기술을 위한 새로운 강유전체도 공개했다.

로버트 차우 인텔 시니어 펠로우 겸 부품 연구 부문 총괄은 "이번에 공개한 주요 기술은 강력한 컴퓨팅에 대한 지속적인 수요를 충족하기 위한 것이다. 이는 무어의 법칙을 지속하기 위한 인텔 최고의 과학자 및 엔지니어의 끊임없는 노력의 결과"라고 설명했다.