네덜란드 반도체 기업 넥스페리아는 독일 함부르크 공장에 와이드밴드갭 반도체 제조를 위한 시설 투자를 단행할 계획이라고 18일 밝혔다.
넥스페리아는 구체적인 투자 규모와 내용을 밝히지 않았지만, 벨기에 매체 eeNewseurope에 따르면 함부르크 공장에는 질화 갈륨(GaN) 기반 반도체를 생산할 수 있는 200밀리미터 웨이퍼 투자가 이뤄질 전망이다.
넥스페리아는 지난해 모회사인 윙텍 테크놀로지(이하 윙텍)로부터 120억위안을 투자받아 중국 상하이 링앙에 300밀리미터 전력 반도체 생산공장을 건설한 바 있다.
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윙텍은 지난 2019년 넥스페리아(2017년 NXP 반도체에서 분리)를 인수한 이후 지속적인 투자를 단행해왔다. 지난해 상하이에 300밀리미터 공장을 건설한 데 이어 말레이시아 페낭과 상하이에 디자인센터를 개설하는 등 경쟁력 강화를 위해 노력하고 있다.
넥스페리아 측은 "넥스페리아는 총 매출의 약 9%를 연구·개발(R&D) 분야로 투자, 이는 신제품 개발로 이어지고 있다"며 "중국 광둥의 넥스페리아 공장, 말레이시아의 세렘반, 필리핀의 카부야오 공장에서도 최신 자동화 시설 증대 및 시스템 패키지(SIP) 기능 구현을 포함한 테스트 및 조립 시설 강화 등에 투자가 이어질 예정"이라고 전했다.
☞ 용어설명 : 와이드밴드갭
와이드밴드갭(Wide Band Gap)이란 실리콘(Si)보다 큰 밴드갭을 갖는 반도체 재료를 말한다. 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN), 산화 갈륨(Ga2O3), 질화 알루미늄(AIN) 등이 꼽힌다. 밴드갭은 전자가 존재하는 에너지 레벨과 전자가 존재하지 않는 에너지 레벨 사이의 차이를 뜻한다. 반도체의 경우, 전자가 모여 있는 부분과 전자가 전혀 없는 부분이 밴드갭이란 공간을 두고 있으며, 이 공간을 전자들이 돌아다니면서 동작한다.
