[프로필] 한인택 종합기술원 재료연구센터장 부사장

"퀀텀닷·하이-K 물질 등 디스플레이·반도체 핵심 소재개발에 기여"

삼성전자가 정기 임원인사에서 한인택 종합기술원 재료연구센터장(전무)을 부사장으로 선임했다.

4일 삼성전자는 2021년도 정기 임원인사를 확정하고 부사장 31명, 전무 55명, 상무 111명, 펠로우 1명, 마스터 16명 등 총 214명의 인사를 단행했다고 밝혔다.

한인택 종합기술원 재료연구센터장 부사장은 1966년생으로, 서울대에서 화학 석·박사과정을 수료한 재료 및 소자개발 전문가다.

한인택 종합기술원 재료연구센터장 부사장. (사진=삼성전자)

1995년 삼성전자에 입사해 삼성전관 Advanced Materials Lab TF장, 삼성전자 종합기술원 복합소재그룹장, 종합기술원 신소재응용그룹장, 종합기술원 전자소재Lab장, 종합기술원 Material연구센터 무기소재Lab장 등 주요 보직을 역임했다.

삼성전자 측은 "나노재료 및 소자개발 분야의 전문가"라며 "전문성을 토대로 디스플레이 퀀텀닷 소재, 차세대 메모리용 하이-K 물질 등 핵심 소재개발 및 성과창출에 기여했다"고 전했다.

다음은 한인택 종합기술원 재료연구센터장 부사장의 주요 약력이다.

---

◇ 한인택 종합기술원 재료연구센터장 부사장

-1966년생

-삼성전자 입사(1995년)

-삼성전관 디스플레이LAB(2001년)

-삼성전관 Materials LAB(2004년)

-삼성전관 Advanced Materials Lab TF장(2007년)

-삼성전자 종합기술원 복합소재그룹장(2008년)

-종합기술원 신소재응용그룹장(2009년)

-종합기술원 전자소재Lab장(2010년)

-종합기술원 Material연구센터 무기소재Lab장(2013년)

-종합기술원 Material연구센터장(2018년)