[프로필] 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장 부사장

"확산 공정 분야의 세계 최고 기술력 보유한 전문가"

삼성전자가 정기 임원인사에서 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장(전무)를 부사장으로 선임했다.

4일 삼성전자는 2021년도 정기 임원인사를 확정하고 부사장 31명, 전무 55명, 상무 111명, 펠로우 1명, 마스터 16명 등 총 214명의 인사를 단행했다고 밝혔다.

황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장 부사장은 1967년생으로, 서울대에서 무기재료공학 석·박사과정을 수료한 공정개발 분야 전문가다. 1997년 삼성전자에 입사해 반도체연구소 공정개발실 공정개발2팀장 등을 역임했다.

황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장 부사장. (사진=삼성전자)

삼성전자 측은 "확산(디퓨전) 공정개발에 대한 세계 최고 수준의 기술력을 보유한 전문가"라며 "D램, 낸드, 로직 등 차세대 제품의 독보적 공정개발 역량 확보에 기여했다"고 전했다.

다음은 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장 부사장의 주요 약력이다.

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◇ 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장 부사장

-1967년생

-삼성전자 입사(1997년)

-메모리사업부 DT기술그룹(2001년)

-메모리연구소 공정개발팀(2005년)

-반도체연구소 공정개발팀(2009년)

-반도체연구소 공정개발팀 공정개발1P/J(2013년)

-반도체연구소 공정개발실(2014년)

-반도체연구소 공정개발실 공정개발2팀장(2015년)

-반도체연구소 공정개발실 Foundry공정개발팀장(2020년)