삼성전자가 풀HD 영화 10편을 1초에 전송할 수 있는 차세대 모바일 D램 양산을 시작한다.
30일 삼성전자는 평택 생산라인에서 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 10나노미터급(1z) LPDDR5 D램 양산에 돌입한다고 밝혔다.
이 제품은 양산 D램 제품 최초로 EUV 공정이 적용됐으며, 16기가비트(Gb)의 역대 최대 용량과 초당 6천400메가비트(MB)의 데이터를 처리할 수 있는 동작속도를 제공하는 것이 특징이다.
이는 기존 하이엔드 LPDDR5 D램(12Gb, 5천500Mb/s)과 비교해 용량은 33.33%, 속도는 16%가량 빠른 수준이다.
삼성전자는 1z 나노미터(1nm=10억분의 1미터) LPDDR5 D램을 통해 내년 출시되는 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점한다는 계획이다. 나아가 고온 신뢰성을 확보한 전장용 제품도 출시해 사용처를 지속 확대해 나간다는 방침이다.
삼성전자 측은 "16Gb LPDDR5 D램은 8개의 칩셋만으로 16기가바이트(GB) 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩셋 8개+8Gb 칩셋 4개) 대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다"며 "이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적 솔루션을 제공할 수 있다"고 강조했다.
삼성전자 평택 생산라인은 단일 공장 기준 세계 최대 규모(연면적 12만9천제곱미터)의 메모리 반도체 공장으로, 2015년부터 조성됐다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공돼 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.
삼성전자는 D램 양산을 시작으로 평택 생산라인에서 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품도 생산할 예정이다.
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삼성전자는 "지난 5월 평택 2라인에 극자외선 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공, 6월에는 최첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인을 착공했다"며 "두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정으로, 프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.
한편, 삼성전자는 평택 1라인에 이어 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행한다는 방침이다. 직접 고용하는 인력은 약 4천명으로 예상되며, 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다. 삼성전자는 앞서 2018년 8월에 평택 2라인에 180조원 투자, 4만명 고용 계획을 밝힌 바 있다.
