인피니언, 전력손실 줄인 SiC MOSFET 출시

반도체ㆍ디스플레이입력 :2020/06/16 11:45

인피니언 테크놀로지스가 실리콘 카바이드를 사용해 기존보다 전력손실을 줄인 전계효과 트랜지스터를 출시한다.

16일 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 기존 1500V 실리콘 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 대비 전력손실을 50% 이상 낮추고, 2.5% 가량 효율을 높인 'CoolSiC MOSFET 1700V'를 출시한다고 밝혔다.

CoolSiC MOSFET은 실리콘과 탄소의 화합물인 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소)를 사용해 만든 반도체 소자다. 이는 기존 규소(Si)보다 높은 물리적 특성을 바탕으로 고내열·고전압 등의 우수한 신뢰성과 낮은 스위칭 손실 등을 제공하는 것이 특징으로, 모터 드라이브·신재생 에너지·충전 인프라 등의 3상 변환 시스템의 보조 전원에 적합하다.

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인피니언 'CoolSiC MOSFET 1700V'. (사진=인피니언)

구체적인 사양으로는 ▲온저항 정격(450mΩ, 650mΩ, 1000mΩ) ▲D2PAK-7L 패키지(길이 10mm, 너비 9.25mm, 최소 터미널 피치 1.27mm) ▲최대 1000V DC 입력 전압 등을 갖췄다.

피터 프리드릭 인피니언 산업용 전력 제어 사업부 선임 이사는 "성능과 신뢰성을 모두 충족하는 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술을 적용한 1700V 제품을 제공하게 됐다"며 "SiC의 우수한 특성들을 극대화해 소형화된 풋프린트와 낮은 손실을 고전압 SMD 패키지에 구현했다. 이제 고객들은 보조 전원 설계의 복잡성을 크게 줄일 수 있다"고 전했다.