"460GB를 1초에"…SK하이닉스, 초고속 ‘HBM2E’ 메모리 개발

2020년부터 본격 양산, ‘슈퍼컴퓨팅·인공지능’ 등에 활용 전망

SK하이닉스가 1초에 460기가바이트(GB) 용량의 데이터를 처리할 수 있는 초고속 메모리 ‘HBM2E’ 개발에 성공했다.

12일 SK하이닉스는 업계 최고의 속도를 갖춘 HBM2E(High Bandwidth Memory Extension·고대역폭 메모리) D램 개발에 성공하고, 이를 2020년부터 본격 양산할 계획이라고 밝혔다.

HBM은 D램 칩을 종이보다 얇은 두께로 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 관통하는 전극을 서로 연결하는 실리콘관통전극(Through Silicon Via·TSV) 기술을 활용한다.

SK하이닉스가 개발에 성공한 ‘HBM2E(High Bandwidth Memory Extension·고대역폭 메모리)’. 업계 최고 수준인 초당 3.6기가비트(Gb/s)의 속도를 구현한 것이 특징이다. (사진=SK하이닉스)

이는 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 방식이 아닌 칩 자체를 그래픽처리장치(GPU)와 같은 로직 칩 등에 수십마이크로미터(㎛·100만분의 1미터) 간격 수준으로 가까이 장착하는 방식으로 제작된다.

SK하이닉스는 단일 제품 기준으로 초당 3.6기가비트(Gb/s) 용량의 데이터를 처리할 수 있는 HBM2E를 개발하고, 이를 16Gb 칩 8개로 구성해 16GB 용량의 제품으로 구현했다.

이는 풀HD 해상도(1천920×1천80) 영화 124편(3.7GB) 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 성능을 제공한다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 전했다.

한편, HBM2E는 초고속 특성을 갖춰 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차 산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션으로 평가받는다.