삼성전자가 시스템 반도체 세계 1위 달성을 위해 국내 팹리스 업체와의 협력 강화에 박차를 가하고 있다.
3일 삼성전자(대표 김기남·고동진·김현석)는 서울 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019 코리아’를 개최하고, 국내 팹리스(반도체 설계) 업체들에게 극자외선(EUV) 노광 장비 기반의 7nm(nanometer·10억분의 1미터) 이하 초미세공정을 적극 지원할 방침이라고 밝혔다.
나아가 팹리스 기업들이 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 공정 기술과 서비스를 보다 쉽게 활용할 수 있도록 반도체 디자인하우스를 비롯한 설계자산(IP), 자동화 설계 툴(EDA), 조립테스트(OSAT) 등도 적극 제공하기로 했다.
정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 이와 관련해 "삼성전자는 반도체 불모지에서 사업을 시작해 역경을 딛고 업계 1위에 오른 경험이 있다”며 “파운드리 분야의 최고를 향한 여정도 쉽지 않겠지만 난관을 헤치고 함께 성장해 나갈 수 있게 관심과 응원을 부탁한다"고 1위 달성에 대한 자신감을 내비쳤다.
실제로 삼성전자는 저전력 28nm 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정 기반의 내장형 M램(embedded Magnetic Random Access Memory·eMRAM) 솔루션 제품과 EUV 노광 기술을 적용해 성능과 수율을 높인 7nm 핀펫 제품을 출하하는 등 파운드리 시장에서 앞선 기술경쟁력을 보유하고 있다.
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특히, 5nm 이하 공정에서는 전류의 흐름을 더욱 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조의 3nm GAE(3nm Gate-All-Around Early) 공정 기술도 개발해 세계 1위 파운드리 기업인 TSMC와 기술격차를 벌였다는 평가도 받고 있다.
한편, 삼성전자는 지난 4월 시스템 반도체 세계 1위 달성을 목표로‘반도체 비전 2030’을 공식선언하고, 시스템 반도체 및 파운드리 분야의 연구개발과 생산시설 확충에 133조원을 투자한다는 계획을 밝힌 바 있다.