삼성전자, 세계 최초 10나노급 D램 개발 성공

생산성 20% 향상 전력효율도 개선...하반기 양산

삼성전자가 세계 최초로 10나노 초반대급(1z) D램을 개발하는 데 성공했다.

삼성전자는 21일 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다고 밝혔다.

D램은 스마트폰과 PC, 노트북, 서버, TV 등 다양한 정보기술(IT) 제품군에 쓰이는 메모리 반도체다. D램 칩 위에는 데이터를 저장, 제어할 수 있는 셀이 수억 개 이상 들어가며 8Gb는 80억개 이상 셀이 들어갔다는 얘기다.

D램 칩 위에는 레이저를 통해 전자 회로가 나노급으로 미세하게 그려진다. 나노급 수준을 나타내는 x는 후반, y는 중반, z는 초반을 뜻한다. 10나노(1z)는 10나노에 가까운 초반대 수준이라는 뜻이다.

삼성전자가 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램.(사진=삼성전자)

DDR은 데이터 처리 속도를 뜻한다. D램은 처리속도에 따라 제품군이 나뉘며 DDR 뒤에 붙는 숫자가 클수록 처리속도가 빠르다는 의미다.

삼성전자는 2세대 10나노 중반대급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 10나노급(1z) D램을 개발하며 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다고 밝혔다.

특히 10나노급(1z) D램 개발에는 한 대당 1천억원 이상인 극자외선(EUV) 장비가 사용되지 않았다. 그만큼 삼성전자가 경쟁사 대비 우수한 미세 공정 기술력을 입증했다는 설명이다. 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성도 20% 이상 향상됐으며 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.

EUV는 반도체에 전자 회로를 그려넣을 때 필요한 미세 공정 장비다. 반도체 웨이퍼 위에 특정 광원을 쏘는 노광(photo) 기술을 사용한다.

삼성전자는 올 하반기 10나노급(1z) D램을 본격 양산, 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격 공급할 계획이다. 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 세계 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시킨다는 전략이다.

이번 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈은 글로벌 PC업체의 모든 평가 항목을 승인 받아 글로벌 고객 수요를 본격 확대할 수 있게 됐다.

삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 D램 공장에서 주력 제품의 생산 비중도 지속 확대 중이다. 특히 내년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축해 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 강조했다.

한편 반도체 전문 시장조사기관 D램익스체인지에 따르면 삼성전자는 지난해 4분기 D램 시장점유율 41.3%를 기록하며 업계 1위를 유지했다.