로옴은 실리콘모스펫(SiC-MOSFET)와 SiC-MOSFET 구동용 제어 IC를 개발해 저전력, 소형화를 실현했다고 25일 밝혔다.
일반적으로 Si-MOSFET은 내압 1000V 이상이기 때문에 도통 손실이 크고 이에 따라 발열도 커지게 된다. 이로 인해 주변 부품 수와 실장 면적을 작게 만들 수 없어 기기의 소형화에 많은 제약이 발생하게 된다. 이를 해결했다는 것.
이번에 개발된 'SCT2H12NZ'는 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기용으로 1700V 내압의 SiC-MOSFET이다. 'SCT2H112NZ'는 보조 전원의 필수 사항인 고내압과 저전류 특성에 적합하다.
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또한 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB'를 함께 사용하면 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있다. 최대 6%의 고효율화와 대폭적인 손실 저감을 통해 주변 부품 소형화를 실현할 수 있다는 게 제조사 측 설명이다.
로옴 관계자는 “지난 4월부터 'SCT2H12NZ'와 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB'가 탑재된 평가 보드 'BD7682FJ-LB-EVK-402'의 인터넷 판매가 시작됐다”며 “앞으로도 고효율 파워 반도체 및 파워 반도체를 최적으로 구동하기 위한 IC 개발을 통해 에너지 절약과 안전에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.
