인텔-마이크론, 고밀도 3D 낸드 신기술 개발

기존 낸드 기술 대비 3배 높은 저장용량 제공

인텔이 마이크론과 협력해 고밀도 플래시 메모리인 3D 낸드 기술을 개발했다고 3일 밝혔다.

인텔과 마이크론의 3D 낸드플래시는 데이터 스토리지 셀 레이어를 수직으로 적층해 기존 낸드 기술 대비 3배 더 높은 저장용량을 제공한다.

현재 메모리 업계는 평면형 낸드플래시 메모리가 실질적으로 확장의 한계치에 도달함에 따라 새로운 도전에 직면하고 있는 상황이다. 작은 공간에 더 많은 데이터 저장이 가능해 미세공정 시대의 고집적도 메모리를 개발할 수 있는 대안으로 주목받고 있다.

인텔코리아 관계자는 3D 낸드플래시에 대해 “다양한 모바일 기기 뿐만 아니라 요구 사항이 까다로운 기업 시스템 구축에 있어서도 획기적인 비용 절감과 전력 소모량 감소를 제공한다”고 설명했다.

3D 낸드플래시 시장에서 가장 앞선 업체는 삼성전자다. 삼성전자는 지난 2013년 24단에 이어 지난해는 32단 3D V낸드를 선보인 바 있다. 3D 낸드플래시를 양산하고 있는 업체는 삼성전자가 유일하다. 도시바가 최근 48단 낸드플래시 개발을 완료했다고 밝힌 바 있지만 양산을 하지 못했다.

인텔은 3D 낸드 256Gb MLC(멀티 레벨 셀) 버전을 개발 중으로 384Gb TLC(트리플 레벨 셀)도 곧 공개할 예정이다. 올 4분기 양산 예정이다. 인텔, 마이크론은 3D 낸드 기술 기반 SSD 솔루션을 각각 개발 중이며 제품은 내년 안에 선보일 예정이다. 3D 낸드 기술은 MLC, TLC 방식에 모두 활용 가능하다.

인텔의 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장 겸 총괄 매니저 롭 크루크는 “새로운 3D 낸드 기술 혁신으로 놀라울 정도로 향상된 집적도와 비용 절감 효과에 힘입어 컴퓨팅 플랫폼에서의 솔리드 스테이트 스토리지의 적용이 가속화될 것”이라고 말했다.